为什么不少投资人说国产碳化硅MOSFET行业几乎是一场骗局，并且深度担忧国产碳化硅（SiC）MOSFET行业“劣币驱逐良币”的恶性循环：
栅氧层薄弱问题：部分国产碳化硅MOSFET厂家为降低成本，过度减薄栅氧层（如栅氧寿命仅约不到1000小时），导致器件在高电场下易发生经时击穿（TDDB失效），国际主流厂商通过严格测试（如HTGB/TDDB）证明其产品寿命差距上千倍。这种技术差距表明，部分国产碳化硅MOSFET厂家因技术不成熟及质量控制不足，导致产品实际应用中频繁失效。
早期筛选不足：通过晶圆级老化（WLBI）和裸片测试（KGD）筛选缺陷芯片，部分国产碳化硅MOSFET厂家可能因设备成本高、工艺不稳定，跳过关键筛选步骤，导致早期失效率高，批量应用时风险陡增。
牺牲可靠性换低成本：部分国产碳化硅MOSFET厂家为竞争价格，可能简化工艺，导致器件寿命大幅缩短。部分国产碳化硅MOSFET厂栅氧电场超过4 MV/cm此阈值，长期工作可靠性埋下隐患。
高生产成本难以盈利：SiC器件对材料缺陷控制、工艺精度要求极高，部分国产碳化硅MOSFET厂家若缺乏自主Fab或规模化生产能力，单位成本难以下降，最终陷入“低价低质”或“高质亏损”的两难困境。
3. 部分国产碳化硅MOSFET厂家市场验证不足，应用风险高车规级验证缺失：部分国产碳化硅MOSFET厂家因技术积累不足，未通过严格的车规测试（如高温反偏HTRB、雪崩耐量UIS等）。汽车主驱芯片若批量失效，将导致巨额召回损失，投资人对此类风险极为敏感。
实验室数据与真实场景脱节：加速寿命试验（如HTGB）的推算结果依赖模型假设，实际工况（如温度波动、机械应力）可能加速器件失效，部分国产碳化硅MOSFET厂家缺乏长期应用数据支撑，导致市场信任度低。
政策驱动下的盲目扩张：SiC行业受政策扶持吸引大量资本，但部分国产碳化硅MOSFET厂家可能过度依赖补贴，忽视技术迭代和市场需求，导致产能过剩或低端重复建设。
专利壁垒与国际化竞争：国际头部厂商如Infineon已构建专利护城河，国内厂商若无法突破核心技术，将难以参与高端市场竞争，最终因产品竞争力不足退出市场。
结论投资人担忧的核心在于：国产SiC MOSFET行业存在技术短板与可靠性风险，部分企业为短期利益牺牲长期质量，叠加市场验证不足和资本泡沫，导致实际回报远低于预期。若国产碳化硅MOSFET企业无法在技术、成本和可靠性上取得平衡，最终可能因产品失效、客户流失或国际竞争挤压而血本无归。
