近日，华为Mate70系列手机搭载的麒麟9020芯片在科技界掀起了轩然大波。这款芯片的出现，不仅标志着我国在中高端芯片生产线上取得了重要突破，更向世界展示了中国芯片产业的雄厚实力。据第三方权威拆解机构深入分析，该芯片工艺等效于7nm，甚至在某些性能方面可与台积电4nm工艺芯片相媲美。
这一成就让国人倍感自豪，同时也让欧美国家感到困惑：在没有EUV光刻机的情况下，中国是如何实现这一技术飞跃的？就连全球芯片设备制造领军企业ASML也对此表示赞赏，认为中国在当前阶段能解决7nm工艺芯片的生产已属不易。
ASML也指出，与台积电、三星等世界顶尖芯片制造商相比，中国仍存在10-15年的差距。这一差距的根源在于我们缺乏EUV光刻机这一关键技术。长期以来，EUV光刻机技术一直被国外垄断，成为制约我国芯片产业发展的瓶颈。
回顾历史，我国在光刻机技术方面的探索充满了艰辛。早期，我国专家曾赴ASML参观学习，却遭到嘲讽“给你们图纸都造不出来”。多年来，中芯国际订购的EUV光刻机也迟迟未能发货。这些情况都反映出国外在光刻机技术方面的封锁和打压。
就在最近，我国科研团队取得了重大突破，让外媒纷纷惊呼中国EUV光刻机出现了“拐点”。根据哈尔滨工业大学官方消息，樊教授领衔的科研团队成功研制出13.5nm的极紫外光源，这是EUV光刻机的核心技术之一。
与ASML的EUV光源相比，哈工大的极紫外光源采用了全新的“放电等离子体极紫外光源”技术路线，不仅突破了西方技术封锁，还在能效转换率和运维成本方面表现出色。
这一成果的意义远不止于此。首先，它用实际行动回应了ASML的嘲讽，证明了我国在光刻机领域的研发实力。更重要的是，这一突破为我国后续EUV光刻机零部件的研发和技术壁垒的突破奠定了坚实基础。拥有全球最完善的工业体系，我们有信心在国产EUV光刻机的研发道路上走得更远。
此外，麒麟9020芯片的量产也充分展示了我国在芯片设计、研发、制造和封装等多个环节的国产替代能力。虽然与台积电、三星等顶尖企业相比仍存在差距，但随着EUV光刻机技术的突破，这一差距有望逐渐缩小。
值得一提的是，中国强大的制造能力和供应链整合能力也是ASML所忌惮的。一旦我国成功推出第一代EUV光刻机并实现量产，有望将EUV光刻机的价格打至“白菜价”，从而进一步推动全球芯片产业的发展。届时，“中国芯片遍地都是，西方芯片没人要”的景象或许将成为现实。
