【锚思科技讯】据外媒最新消息显示，三星3nm制程将在未来几周内开始投产，进度比台积电要快上几周时间。相较而言，台积电FinFETch架构的3nm依旧按照原计划在下半年量产。

三星这次希望通过3nm实现弯道超车，但业界普遍认为，三星的3nm在晶体管密度、能效等层面与台积电的5nm和英特尔4制程相当。换句话说就是，三星在制程命名上赢了台积电，但在实际技术上还是输了。

三星表示，采用GAA架构的3nm制程相较于目前旗下7nm FinFET架构制程，可以在0.75伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低50%，效能提升30%，芯片体积减少45%。

三星并未透露其3nm制程的客户，可能会优先生产自家芯片。台积电则透露旗下3nm有诸多客户参与，比5nm和7nm的时候要多。猜测，苹果、AMD、英特尔、高通、联发科等大厂都在其中，也是台积电3nm量产初期的主要客户。

目前我最担心的还是三星的良率问题，在4nm工艺制程上据传良率仅有35%，迫使高通不得不求助于台积电来代工其骁龙8 Gen 1Plus芯片，NVIDIA也是因为同样的原因找上台积电。

业界传出，三星3nm工艺的良率仅约10%出头，如果真的是这样，猜测应该不会有厂商会跟它一起“玩”。

台积电虽然要比三星晚上几周量产，但它强调其3nm亮相含后，在PPA（能效、功耗及面积）及晶体管技术都将领先，且有良好的良率，有信心赢得可会信赖。

目前台积电已经开始2nm的布局，预计2024年风险试产，目标2025年量产。而三星似乎没有相关消息传出。

三星与台积电两大代工厂的先进制程竞争早已有之，这次三星能否超越台积电还要看3nm的良率，让我们拭目以待。