从2019年开始，“缺芯少魂”的议题再次被提及，同时也让我们真正清晰的认识到，我国在半导体领域留下的“空白”，因此，从2020年开始，我国开始大举投入资金进入半导体行业，目标就是想要在短时间内实现芯片领域的自给自足。

目前这个过程正在被稳步推进，从芯片指令集架构到芯片设计软件，再到芯片制造设备，我国都实现了很大突破，哪怕是最为困难的EUV光刻机，我国目前也已经获得了很大进展。

但是，就在这个时候，美国芯片技术却打出了一张“王炸”，根据最新消息显示，华人研究团队在半导体芯片领域取得了突破性进展，而这次的突破是由美国麻省理工学院完成的。

其团队打造出了一种基于二硫化钼的原子级薄晶体管，该研究结果已经在《自然纳米技术》杂志期刊上发表，其主要描述的是，研究人员开发了一种低热预算合成方法，能够在低于前体分解温度的温度下合成单层二硫化钼薄膜，并直接在硅互补金属氧化物半导体电路上生长，而不需要任何转移过程。

说的简单直白一点就是，现如今伴随着摩尔定律进入极限，如果继续使用原有的半导体材料来发展更高精度的芯片，几乎是不可能了，因为继续往下发展就会发生量子隧穿效应，芯片会失去作用。

但是，现如今美国开发的这个二硫化钼薄膜却可以解决这个问题，该技术可以让芯片尺寸继续往下缩小，不用担心发生量子隧穿，同时也可以继续降低芯片的功耗。并且该材料依旧可以广泛应用在各行各业，商业价值极大。

而领导该技术的则是一位24岁的华人，不得不说，华人的智慧真的很高，这一点可以从美国高科技公司的从业者比例就可以发现，绝大部分都是华人。

但是，同时这意味着任正非果然没说错，早前任正非就说过，我们花了钱，买了设备，到头来打开一看，里面的核心技术竟然都是华人研究出来的。

这话说的多少有些凄凉，不可否认，在过去的一些年里，由于美国民主、自由的招揽方式，吸引了全球很多的顶尖人才的加入，其中也包括我们中国人，但是现如今结果却在发生改变，而改变是不光是中国也是美国。

在最近一段时间里，美国针对Tik Tok等中国企业的行动就已经说明，美国早就已经不是一个自由、民主的国家了，他们在思想上变得更加封闭，在技术上更是展现霸道，而美国媒体自己都评价，现如今的美国正在毁灭自己的创新力和成功。

反观中国方面，我们对全球市场保持开放，邀请顶级企业访华，同时最近几年里，华为等国内顶级的技术企业都是拿出了丰厚的薪资待遇来留住人才，同时从全球市场吸引人才加盟。

并且国家也在大力扶持半导体企业的发展，在这种情况下，留在中国的高科技人才会越来越多，而中国人的智慧已经在美国得到了验证，所以说，接下来当我们的科研环境得到更好的优化后，相信我国在核心技术领域将快速爆发，因为现阶段技术的比拼本质上就是人才的比拼，只要谁掌握了足够多的人才，谁就可以实现技术领域的超越。

这一点，最近十几年也在我国身上得到了验证，诸如我国在太空技术领域和量子计算领域，都实现了对全球的逆袭和超越。

所以，面对着美国华人团队在芯片领域的突破，外媒方面也是传来评论表示，接下来二十年里，在技术领域这一次中国一定会赢得很漂亮，因为中国已经有能力留住人才了。