目前,全球首例基于石墨烯制备的功能半导体已在国际知名期刊Nature上发表。
据悉,该课题由天津大学的科研团队牵头,命名为《碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯》。
半导体是一种在室温下具有介于导体和绝缘体之间的导电性的物质。石墨烯及其相关材料在电池电极、半导体和晶体管等领域有着重要的应用。石墨烯是一种可用于制造晶体管的材料,它具有很高的稳定性,能够在原子量级上稳定工作。与此形成鲜明对比的是,硅基电晶体在低于10 nm时,其稳定性就会下降。
马雷的研究小组利用一种特制的熔炼法,在覆有一层有机膜的碳化硅晶片上,制备出大面积的类石墨烯单晶。
这种材料生长在碳化硅的表面,与石墨烯的结构类似,但电导率却不高。
实验结果显示,该半导体型石墨烯的载流子迁移率是硅的10倍。
本项目的实施将为石墨烯电子器件的实用化奠定基础。然而,石墨烯半导体的普及,还需要十年到十五年的时间。
前几年石墨烯芯片就出来了把。
可以上电诈园区,容资了