中国半导体技术重要里程碑：长江存储反向授权给三星关键技术

2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

3D NAND“混合键合”的晶圆直接键合技术，通俗一点来说，就是长江存储开发了一种技术，可以将两块有很多芯片的晶圆直接“焊接”成一块。大概的示意图就是下面的样子：

这项叫做Xtacking的技术，早在2016年长存一期项目开工建设时就开始全自研开发的一种3D NAND闪存芯片架构。2017年我还在跟踪长存的技术进展时，当时业界一致认为在2D技术方面，长存与三星的差距还很大。

2D NAND和3D NAND的根本区别

而到了2020年，长存Xtacking 3D NAND 量产后，国内有一种说法是长存与三星的差距缩小到一年。那时我的评论区，就是国内很多“专业灌水员”都一致认为这是吹牛皮。（《长江存储128层闪存年底将量，与三星技术差距缩小到1年》）

如今，差不多十年的时间，长存的3D技术已经超越存储龙头老大，向三星输出技术专利，不可谓中国半导体技术的重大里程碑！

“长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。”行业媒体如此评价称。

韩媒ZDNet Korea直言，三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。

长江存储Xtacking创新架构

三星此次获取长存专利授权，主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，其堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10尽快量产，三星引入了多项新技术，而长存的晶圆“焊接”技术至关重要”。

三星电子开发的V9代闪存芯片

这项技术省去了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电路，并提高了存储性能和散热特性，“特别是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产效率方面也具有优势”。

2017年长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。截至目前，长江存储专利申请数量超过1万件。

国内存储芯片一直在被美光打压，而长江存储则敢于在美国主动起诉美光。2023年11月8日，长江存储以八件专利起诉美光之后，又在2024年7月追加了11件专利的起诉，两案并案处理。这开他创了中国半导体企业的先河，令美光也头痛不已，甚至对长江存储的20件专利，发起了22次无效挑战IPR（多方复审）。

长江存储向三星授权专利，开创了中国半导体技术的新历史，其十年磨一剑的技术突破无疑令人振奋。