漏源电流和内阻，是判定 MOS 管带载能力的关键指标。

依据公式P=I²R，漏源电流越大，内阻越小，MOS管的带载能力越强。

当 MOS 管完全导通时，导通电阻就相当于漏源极之间的“小电阻”，（如图）VCC→RDS(on) →RL→GND形成回路。

还要考虑的一个因素是电阻分压原理，串联电路中的分压与阻值成正比，电阻值越大分得的电压越多。通过并联使用MOS管，可以减小总的内阻，从而增强带载能力。

漏源电流规定了在正常工作时，从漏极流向源极所能安全承载的最大电流

当内阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易发热，寿命变短，甚至炸裂。

而内阻越小，负载产生的分压越多，获得的能量就越大，说明带载能力越强，所以一般选用内阻较低的MOS管。

而内阻RDS(on)又跟什么有关呢?

我们来举例说明，当驱动电压为10V，导通电阻为0.12Ω。

MOS的导通电阻随温度上升而上升，下图显示该MOS的导通电阻在结温为130℃的时候，为20℃时候的2倍。

从下图可以看到，驱动电压越高，实际上导通电阻略大，而且最大导通电流也略大。

因此，选择MOS管时应考虑其漏源电流、内阻以及这些参数随温度和电压的变化。在高功率或高散热需求的应用中，考虑使用低内阻的MOS管，并可能需要采用并联方式以增强带载能力。