三星旗下的半导体部门三星半导体在三星代工论坛上公布了其未来几年的制造计划、2nm 和 3nm 芯片的工艺路线图以及人工智能和汽车芯片专用节点的计划。
计划2025年推出2nm芯片，2027年推出1.4nm芯片三星表示，计划于 2025 年生产 2nm 芯片，并于 2027 年生产 1.4nm 芯片。
（来源：三星）
此外，该公司还透露，将于2025年开始量产移动设备2nm芯片，原始2nm工艺SF2将于明年准备就绪，改进的2nm工艺SF2P预计也将准备就绪。
（来源：三星）
SF2X是专为AI和高性能计算（HPC和服务器）芯片设计的2nm工艺专用版本，将于2026年开始生产，SF2A是用于汽车芯片的2nm工艺，将于2027年开始量产。计划去做。
在2nm工艺方面，除了之前透露的“SF2”、“SF2P”、“SF2X”、“SF2A”之外，还公布了全新的第4代2nm工艺“ SF2Z ”。
在SF2Z中，三星计划采用背面供电网络（BSPDN） 。关于BSPDN，Intel计划在Intel 20A中引入，台积电也宣布将在A16工艺中引入。
每个公司的BSPDN在技术上都不同，台积电的Super Power Rail（SPR）在集成度方面比Intel的PowerVia领先一步。目前尚不清楚三星计划为 SF2Z 实施哪种 BSPDN 实现，但 SF2Z 预计将在功效、性能和面积 (PPA) 方面比 SF2 提供显着改进。 HPC（高性能计算）芯片将尤其受益。 SF2Z计划于2027年量产。
三星表示， Gate All around (GAA) 晶体管在性能和良率方面都在不断成熟，GAA 已在该公司的 3nm 工艺中引入，也将应用于 2nm 工艺。但具体收益率尚未披露。
另一个新工艺节点是SF4U。据三星称，这是专为大批量设计的 4nm 工艺的特殊版本。 PPA 也有望通过引入光学收缩来改进。 SF4U计划于2025年实现量产。
据三星称，第一个亚2纳米段工艺节点SF1.4也正在按计划进行。性能和良率均在预期范围内，预计2027年开始量产。
首先，第二代SF3工艺计划于今年实现量产。预计该工作将于今年下半年开始。 SF3是三星第一个使用GAA（环栅）晶体管的工艺，基本上已经生产了三年。然而，SF3E/3GAE 最初只能获得相对简单的加密货币挖矿芯片的合同。而且，长期以来传闻三星SF3工艺的良率很低，但最近这种情况明显改善，因此三星也经常被提及作为台积电的替代品。据一些报道称，三星自家的Exynos W1000将是第一个使用该技术的芯片。
适用于 Galaxy S25 系列的下一代 Exynos 智能手机芯片组也可能于今年晚些时候开始量产。该芯片组也将采用SF3工艺，并可能于明年初发布。
包装重点关注人工智能加速器未来三星在Foundry业务上能否再次拥有大客户，将取决于SF2Z等工艺的发展。但它也在努力跟上封装的步伐，除了目前将多个芯片垂直集成到基板上的方法之外，还致力于开发新技术。
下一步是将存储芯片等各个组件直接集成到基板上。这可以显着提高信号完整性和性能密度，即带宽。未来，还计划以各种 2.5D 和 3D 格式进行复杂集成的封装。
来源
三星半导体：三星在 SFF 2024 上展示 AI-Era 愿景和最新代工技术
