据报道，三星与台积电在晶圆代工领域的竞争愈演愈烈，其中，台积电凭借其3nm工艺的领先优势，稳坐行业头把交椅。不甘示弱的三星，斥巨资购入High NA EUV光刻机，企图在这场技术赛跑中奋起直追。此举无疑将为光刻机巨头ASML带来高达136亿的巨额收益，然而，仅凭这一台光刻机，三星要想在短时间内缩小与台积电的差距，无疑是困难重重。在这场博弈中，ASML无疑成为了最大的赢家，坐收渔翁之利。
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我们需深刻认识到，所谓的“芯片工艺”，绝非简单的尺寸缩减游戏，其背后蕴含着晶体管密度的飞跃式提升、性能的显著增强以及能耗的大幅降低。现代芯片的工艺节点，更像是一种象征性的等效命名，而非严格的物理尺寸界定。以台积电为例，其10nm芯片在金属半间距上已达到了40nm的水平，而5nm芯片更是将这一数值缩减至30nm，3nm芯片更是将金属间距进一步压缩至22nm。由此可见，工艺的命名虽在尺寸上不断缩减，但真正的技术进步却远不止于此。
即便中国目前仍依赖7nm的工艺节点，但通过不断革新晶体管结构，同样能够实现性能的显著提升。比如，采用更为精妙的三维立体晶体管结构，便能在同样的工艺节点下，极大提升晶体管密度，从而赋予芯片更为卓越的整体性能。这种三维结构不仅有助于大幅缩减芯片面积，还能显著提升能效，使得芯片在实际运算能力上，足以与甚至超越3nm芯片相媲美。
