美国之所以能够称霸世界数十年，是因为其强大的军事实力、领先的科技技术以及全球流通的美元。这三方面相辅相成，让仅有短短两百多年发展史的美国迅速称霸世界。得益于此，美国在全球各地“吸血”，不断地壮大自己。

尤其是在半导体领域，老美依仗半导体发源地地优势，掌握大量地核心技术，在全球半导体产业链拥有绝对地话语权。在全球范围大行，欺压、霸凌等行径，并没有展现出大国风范。表现出来的是只有利益的流氓、无赖等行为，只要是有人触动了其利益，美国就会行使霸权行为，对谁进行疯狂的打压，遭到打压的企业不是破产就是被分割收购。

好比日本东芝、法国的阿尔斯通，尤其是日本半导体，正值如日中天的时候，被美国逼迫签订各种协议，比如“广场协议”和“美日半导体协定”。老美通过霸权欺凌，逐渐蚕食日本半导体产业，让日本招架不住，逐渐跌落神坛，至今只能在中低端市场吃点“边角料”。

但也有令美国头疼的企业，比如我们的民族企业华为。华为经过十几年的发展，终于在5G通信和芯片设计上对美国实现了反超。可以说华为的崛起让美国第一次感受到来自东方“雄狮”可怕，为了巩固自身科技霸主的地位。老美将霸权之手伸向了华为，企图用科技领先的霸权让华为屈服，进而把中国半导体发展遏制在“摇篮之中。

先是以所谓的“安全后门”将华为列入实体清单，然后又通过修改芯片规则，切断华为麒麟芯片的代工渠道。让华为陷入无芯可用的局面，导致华为海思部门成为摆设，手机业务更是遭到重创，跌落神坛，可以说过去三年是华为最为黑暗的三年。

但华为用三年时间，经过不怕牺牲、艰苦奋斗的发展，完成了超4000项的升级，13000个元器件的替换。也就是说，华为已经度过“黑暗时光”，开始变好了。

然而，老美却没有因此停止对华为的打压，继续加码制裁。先后推出了“芯片四方联盟”、“美日荷三方协议”，开始对华为进行全面的围堵，从芯片代工到光刻机，步步为营，步步紧逼，招招都是狠招，试图将华为彻底“打死”的同时，也彻底切断我国向高端芯片发展的道路。

但令拜登没有想到的是，其层层加码制裁的时候，华为坚毅不屈的精神和顽强的“生命力”让国内科技企业纷纷看到国产科技崛起的希望，开始纷纷加入自研之路。得益于此，我国对美芯等进口芯片在不断的加大砍单量，逐渐减少对美国等西方国家的依赖。

不仅国内企业站出来共同抗击美国的霸凌行为，甚至国资委也宣布重要决定：加大对集成电路、工业母机等关键领域的投入。国资委的支持，对中芯国际、华为等在芯片领域的发展犹如“强针剂”一样。

其实，我国在芯片领域之所以受到限制，发展处处受阻，不是因为设计，也不是因为原材料和技术，而是缺少先进的光刻设备EUV光刻机。就像任正非说的：我们不是设计不出来高端芯片，而是因为国内没有可以完成生产的厂商。

事实上，中芯国际已经实现了7nm工艺的制造技术，只是由于芯片规则的限制，无法获得EUV光刻机。如果不是老美阻拦ASML向中芯国际出货EUV光刻机的话，现在中芯国际甚至已经突破5nm工艺了。

不过，哈工大近日传来了让国人兴奋地消息，那就是成功研制出高速精密激光干涉仪。可用于350nm到28nm光刻机的研制和性能测试，解决了我国在该领域的不快、不精、不准的问题。更为关键的是，哈工大还突破了EUV光刻机激光光源技术，通过将电能转化为等离子体能，进而获得DPP-EUV光源。

哈工大的这两项光刻领域的技术突破，意味着我国已经开始打破光刻机等半导体设备的技术限制，国产EUV光刻机问世更近了！

要知道，现在多重曝光技术已经趋于成熟，利用DUV光刻机多重曝光后就可以实现7nm芯片工艺的生产。这种方法作为芯片代工领域的“一哥”台积电先前都使用过。

值得一提的是，上海微电子已经完成国产28nm光刻机的技术突破，加上哈工大的光源技术，配合着中芯国际独自研发的SAQP四重曝光技术，完成7nm光刻机的生产不是问题。

不管是哈工大还是上海微电子，亦或是中芯国际等企业在光刻机领域的突破，足以证明我们坚持走自主研发道路是正确的，并且距离国产高端光刻机问世也更近了。打破美国等西方国家的技术封锁也不是“纸上谈兵”。

要知道，没有一帆风顺的道路，纵观过去站在高处的英雄，都是经过千锤百炼，历经磨难才走向成功的。只要我们坚持不懈的走自主研发之路，就一定可以实现7nm、5nm、甚至是3nm高端光刻机的突破。届时将不再依赖任何外企，也会彻底打破美国的封锁，让其成为一个“笑话”。国产7nm光刻机的问世，你认为还要多久呢？