众所周知，芯片一直都是我国亟需解决的问题，殊不知，芯片的关键问题还是在于光刻机。我国华为等科技企业已经可以设计出先进的芯片，只是国内没有可以完成量产的芯片厂商，所以解决芯片问题的关键还是在于光刻机。

近日，光刻机市场传来两条消息，一个是国内某公司开发了SAQP及其，可以做到绕开EUV光刻机实现7nm工艺，甚至是5nm工艺，最重要的是没有达到经济学极限。

另一个是哈尔滨工业大学公布了一项“高速超精密激光干涉仪”的研发成果，并获得中国光电仪器品牌榜金奖，而这一研发成果被一些人宣称我国7nm以下的光刻机难题。

这两则消息传来，引起了诸多网友和相关业内人士的自嗨。要知道，在过去的两年时间里，不管是光子芯片还是量子芯片以及超分辨率光刻机等，都是绕开光刻机实现高端芯片制造的方案。

值得一提的是，这些绕开光刻机实现高端芯片制造的研究，目前还停留在实验室阶段。而想要完全解决光刻机难题必须要在工艺精度上实现突破，更需要理论与实践以及创新层面的进一步突破。

要知道，制造一台光刻机并不是简单的零部件组装，荷兰ASML公司生产的EUV光刻机，虽然精度可以达到5nm工艺，但它所需要的零部件超过10万个，90%以上的零部件来自全球5000多个国家和地区进口，可见EUV光刻机制造的难度有多大。

其实，我国在光刻机上的研发起步并不晚，在上世纪50年代就开始了。但到了80年代，被“造不如买，买不如租”的观念阻碍了对光刻机研究的深入。因为从国外直接买回来就可以使用，效率远大于自己研发，正是这种观念的存在导致了我国对光刻机的研发停滞不前。

直至今天被限制，才猛然发现，我们的技术依然停留在几十年前。要知道，任何没有基础作为支撑，想要实现弯道超车，难如登天，目前我们在光刻机上虽然有所突破，但并不是自嗨与盲目膨胀的时候。与西方相比，存在的差距依然很大，想要赶超，仍然需要花费很长的时间。

虽然在光刻机领域，我们没有放弃传统研究的同时，也在追求绕开光刻机的捷径。例如量子芯片、光子芯片以及芯片堆叠等途径来寻求弯道超车，但现在更多的是处在探索阶段，距离弯道超车还需要很长的距离。

哈尔滨工业大学研发的“高速超精密激光干涉仪”虽然可以实现光刻机在光刻机过程中对晶圆、物镜系统以及工作台的超精准定位，但是没有配套的激光干涉仪，就无法进行调试、生产工作。

而SAQP技术，英特尔早年前都已经尝试了，在10nm工艺上就已经翻车了。因为采用SAQP技术良品率太低，这或许是英特尔无法规模量产的原因所在，并且直径英特尔都没有公布10nm工艺的量产进度。

值得注意的是，目前已经确认的消息是，国产光刻机是90nm制程，但依然处于研发阶段，差距在于光刻胶，因为我们在光刻胶上还处于起步阶段。

国产光刻机想要取得更大的突破，就要认真面对差距，不要盲目的自嗨，盲目的自嗨不能解决任何难题，要对核心技术和设备存在敬畏，而不是盲目的自嗨误判形势。

值得一提的是，早年间，我国派遣科研人员赴荷兰的ASML学习的时候，ASML技术总监对我国科研人员说：“就算把图纸给到你们，你们也造不出EUV光刻机”，这话虽然透露出巨大的轻视，但也是实话。对于关键的核心技术，我们想要突破，就必须告别自嗨。

我们需要用务实的心态去认识到自研光刻机上的难题，才能对症下药，尽早攻克技术难关。只有从根源上知道努力的方向，才有望在未来5-10年解决国产光刻机的难题。对核心技术的突破，虽然任重道远，但依然要保持期待。