CFMS|MemoryS2025存储峰会在深圳热烈举办近日，CFMS|MemoryS2025存储峰会在深圳举行，吸引众多企业和观众的参与。
活动现场异常热闹，技术展示和产品发布的规模都达到了前所未有的高度，观众们挤满了各个角落。
这次峰会吸引了许多知名企业，比如三星电子、长江存储、铠侠、美光、闪迪、高通等，它们纷纷展示了最新的技术与产品，表达了各自对行业未来的看法。
在活动中，四个显著的趋势逐渐浮现。
首先是大容量存储的需求越来越高，随着技术的进步，AI服务器和终端的发展迅猛，其次QLC闪存的普及也在加速，最后PCIe5.0的应用越来越广泛，PCIe6.0开始浮现曙光。
CFM闪存市场总经理邰炜发表了主题为《存储格局价值重塑》的演讲。
他强调，存储正在成为支撑AI算力的重要基础，行业发展的势头良好，预计到2024年全球存储行业的总收入将达1670亿美元，创下历史新高！在这个过程中，NAND闪存市场的规模预计会增加至696亿美元，总容量可达8330亿GB，而DRAM的市场规模则为973亿美元，总容量达到2500亿Gb。
展望2025年，NANDFlash和DRAM的需求预计会分别增长12%和15%。
伴随市场对大容量的渴求，QLC时代已提早到来，预计在2024年将出现供不应求的现象。
CFM闪存市场预计，QLC将在2025年占据接近20%的闪存产能，其中超过45%的份额将用于服务器，手机端也将逐渐使用512GB甚至1TB的QLCUFS。
长江存储在此次峰会上发布了全新的晶栈4.0架构，适用于TLC和QLC，包括几款新产品：X4-9060（512GbTLC）、X4-9070（1TbTLC）和X4-6080（2TbQLC）。
值得一提的是，晶栈4.0QLC版本的存储密度提升了42%，单Die能达到2Tb，单盘容量可轻松做到4TB，同时IO速度与吞吐量大幅提高。
Solidigm披露，企业级QLCSSD正迎来空前的机会，自2018年以来，累计出货量已超过100EB，其中包含不同型号如P5430和P5336，尤其是P5336的容量首次达到了122TB。
忆恒创源共享其PBlaze77940系列PCIe5.0SSD的销售成就。
该系列SSD的累计出货量已超过30万块，且去年推出的新一代PBlaze77A40仍旧支持PCIe5.0。
这款产品首次引入了平头哥半导体的镇岳510主控，并搭配长江存储的闪存，使整个产品更加出色！铠侠去年推出了CBA双晶圆键合架构以及第八代闪存BiCS8，如今又公布了第九代BiCS9和第十代BiCS10，两者分为不同的方向发展。
BiCS9的存储阵列使用折旧的生产线，支持最新的CMOS制程，IO速度能够达到4800MT/s，更兼容PCIe6.0。
与此同时，BiCS10更具先进性，实现了更多的堆叠层次、存储密度的提升，IO速度同样为4800MT/s，存储密度提升超过59%。
预计PCIe6.0SSD样品将在2025年推出，至于大规模部署要到2026年，而PCIe7.0SSD样品计划在2028年现身。
根据CFM闪存市场的数据，2025年服务器市场的规模将继续增长，预计达到1330万台，AI服务器的占比将逐步提升至14%。
市场对32TB企业级SSD的需求早已普遍，64TB和128TB的需求在不断上升，足以推动市场的持续发展。
随着PCIe5.0SSD的引入，市场的普及速度也在加快，预期今年的占比将达到30%左右，明年可能增至50%。
在AIPC和AI手机领域，终端设备对存储容量的需求正迅速上升，尤其是AI手机的占比将从2024年的10%提升至2025年的30%，预计到2026年将达到50%。
美光亦预计，今年约43%的PC具备AI能力，到2028年这一比例将增至64%！在存储需求不断增长的背景下，各大厂商为满足市场的期望，正在向更先进的制程工艺和封装技术迈进，尽力保持价格稳定和维持利润。
这些新工艺包括1c纳米、1γ工艺系列，以及300层以上的堆叠，与此同时，也包括三星的286层/400+层，美光的232层/276层等众多企业的努力。
尽管2025年一季度推出的DRAM和NAND价格已经全面下降，由于市场上对产品需求旺盛，这一现状开始改善，现货市场的价格明显止跌，市场预期，NAND产品的价格在第二季度将趋于稳定，第三季度开始可能回升。
多家原厂如闪迪、美光、三星、SK海力士和长江存储等，开始释放涨价的信号，幅度普遍超过10%这将可能影响未来的发展方向。
