戍天九思原创第899期
3月26日，新凯来在上海国际半导体设备展览会上首次公开亮相，重磅发布了“五大名山”系列31款工艺装备及量检测设备，以“芯片全产业链突围”的姿态震撼业界，其技术突破与产业协同模式不仅撕碎了西方技术霸权的铁幕，更标志着中国光刻机技术进入全新阶段，全球半导体产业格局面临重构。
▲新凯来工艺装备总裁杜立军演讲
新凯来是比华为海思更底层更关键的战略备胎
《日经亚洲》分析认为，新凯来的成功得益于深圳国资委的强力支持和华为技术团队的注入。其核心研发团队70%来自华为海思和2012实验室，继承了华为“备胎计划”的技术基因。这种“国家队+顶尖民企”的模式被外媒视为中国突破技术封锁的关键策略。
☆早在 2012 年，华为就成立了“诺亚方舟实验室”，也叫“2012实验室”——主攻关键核心技术。
☆2019年5月，美国将华为列入实体清单，华为抽调“2012实验室”精锐力量研发半导体设备，代号“星光工程部”。
☆2020年11月，深圳国资委出资2600 亿元，接管荣耀。
☆2021年8月，深圳国资委出资+华为“星光工程部”，成立新凯来公司。
☆2023年12月，新凯来被美国列入实体清单。
☆2024年3月，国家专利局公布华为SAQP（自对准四重图案化）专利（CN117751427A）。
☆2024年9月，国家专利局公布上海微电子“极紫外辐射发生装置及光刻设备”专利（CN202310226636.7）。
☆2025年3月26日，新凯来展出涵盖刻蚀、薄膜沉积、光学检测等所有关键工艺，支持从 5 纳米到 28 纳米制程，将中国与台积电、三星的制程差距从5年缩短至2-3年。
新凯来看似横空出世，实则是华为十年磨一剑的硕果。
新凯来用一座座“大山”挡住制裁寒流
这次上海国际半导体设备展会，新凯来虽然没有展出光刻机。因此，有人问：新凯来到底有什么突破？其实，光刻机是用来用的，而不是用来展览的。新凯来是用一座座“大山”挡住了邪恶帝国制裁的寒流，实现了从“卡脖子”到“全产业链突围”！
一是5nm光刻机技术实现自主可控。新凯来通过“先进光刻+非光补光”技术路线，结合深紫外光（DUV）与自对准四重成像技术（SAQP），绕开EUV光刻机限制，成功实现等效5nm芯片制造，良品率超过85%。其自主研发的极紫外光源（EUV替代方案）、高精度光学系统（定位精度±2.5nm，超越ASML的±3nm）及全固态激光光源（体积缩小30%、能耗降低45%），均为核心突破点。
二是全产业链覆盖的“中国山河版图”。新凯来展出的设备以中国名山命名，覆盖薄膜沉积（普陀山、长白山）、刻蚀（武夷山）、外延（峨眉山）、光学检测（岳麓山）等全流程，形成“从激光晶体到纳米涂层”的完整生态链，哪里卡脖子哪里就有新凯来的大山。事实上，中国238家配套企业组成的“国产芯片设备天团”，实现了核心部件100%本土化。
创新模式——国家战略与市场机制的深度融合
一是“国家队+产业龙头+资本”的混改架构。新凯来由深圳国资委全资控股，并整合华为2012实验室星光工程部的技术团队、中科院微电子所等科研力量，形成“特战部队”式攻关模式。其研发投入不受短期回报约束，五年内完成从28nm到5nm的“三级跳”。
二是“需求牵引研发”的闭环生态。与华为海思、中芯国际形成“铁三角”联动：芯片设计端提出工艺需求，制造端反馈设备参数，设备商针对性优化技术路线。例如，华为通信领域的精密控制算法被应用于光刻机工件台，提升定位精度。
三是另起炉灶的技术路线。路透社报道称，新凯来在光刻技术中采用“非光学方法解决光刻问题”，例如通过优化工艺设备规避部分对极紫外（EUV）光刻机的依赖。这种创新路径被评价为“开辟新战场”，而非单纯追赶国际巨头。
全球影响——半导体产业格局的重构
一是西方芯片技术垄断的崩塌。新凯来的崛起直接冲击ASML、东京电子等企业，迫使ASML加速研发模块化光刻机并降价15%应对竞争。2025年3月24日，国务院出台《实施〈反外国制裁法〉的规定》，表明中国更有底气反制外国制裁。
二是“中国方案”的全球启示。通过集中力量办大事、全产业链协同创新，中国证明了技术封锁的局限性。新凯来的突破不仅是技术胜利，更展示了“非对称超越”路径——用系统化创新对抗单点技术霸权。
三是文化隐喻与战略自信。新凯来设备以“峨眉山”“长白山”等命名，象征从文化自信到技术自信的跃迁。其总工程师直言“我们不是在追赶，而是在重建规则”，呼应了中国科技从跟随者向规则制定者的转型。
新凯来的横空出世，不仅意味着中国光刻机技术翻篇，更标志着全球半导体产业进入“多极并存”时代。这场逆袭的背后，是举国体制的战略定力、市场化的创新活力与科技人的攻坚毅力共同作用的结果。正如美国前总统卡特所言：“最危险的并非中国现在的实力，而是其发展速度。” 未来，中国半导体产业的“山河版图”将继续扩展，重塑全球科技话语权的边界。
G.long
中国人民真争气