就在今天华为公布一项涉及芯片、制备方法及电子设备得专利。
会不会涉及麒麟9000S得制备工艺，从专利说明来看，是芯片制备中解决的一些问题。
申请公布号：CN117096188A 申请公布日：2023.11.21 申请号：2022105109310 申请日：2022.05.11
本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备。其中，在衬底上设置了至少一个沟道结构、栅极、栅氧化层以及源漏电极层。其中，通过源漏电极层形成晶体管的源极和漏极。栅氧化层实现栅极与沟道层的沟道区之间的隔离。栅极环绕沟道层的沟道区，实现栅极结构包裹沟道。并去除沟道区周围的牺牲层，保留其余区域的牺牲层。并且，通过使牺牲层包括层叠设置的至少两个半导体材料层，且至少两个半导体材料层的晶格常数不同，实现一些半导体材料层产生张应力，另一些半导体材料层产生压应力，来平衡晶格失配产生的应力作用，以避免由于晶格失配产生的应力导致的位错和翘曲。
