近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%属于美光。

今天三星发表了一篇采访文章，受访对象是三星电子产品规划办公室高级副总裁Kim Kyung-ryun和三星电子HBM的DRAM开发办公室高级副总裁Jae-Yoon Yoon，其中介绍了三星在HBM的开发情况。

三星再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。不过三星并没有公布其HBM4的代号，之前的HBM3和HBM3E的代号分别是“Icebolt”和“Shinebolt”。目前三星提供的最顶级HBM产品是今年2月推出的12层堆叠HBM3E，拥有36GB容量，数据传输速率达到了9.8 Gbps，提供了高达1280GB/s的带宽，比起之前的8层堆栈产品均提高了50%，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。

据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（比如8/12/16层堆叠）来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术，这点之前三星已经有过介绍。

之前还有传言称，下一代HBM4在设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口，三星还会引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。