熟悉AMD AM5平台的用户应该知道，相比起高频率的DDR5内存，6000MHz低延迟内存在AM5平台上的性能收益会更高，正因如此，内存厂商们纷纷推出专门适配AM5平台的低延迟内存。作为全球颇具影响力的内存厂商，芝奇在今年年初的时候宣布推出DDR5-6000 CL26低延迟内存套装，涵盖了旗下皇家戟EXPO系列、焰锋戟RGB系列、及烈焰枪RGB系列产品，比起目前市面上普遍的DDR5-6000 CL28内存时序更低，旨在全面释放AMD AM5平台和DDR5内存的性能。
时间过去了一个月，我们也是拿到了芝奇的烈焰枪 RGB DDR5-6000 CL26 16G×2内存套装，而且是白色款的，外观颜值十分不错。接下来就带大家来看看，把时序压到CL26-36-36-96之后，这套内存的实际表现究竟如何。
由于烈焰枪 RGB系列主打实用定位，所以这套内存的外观设计以简约风为基础，从外包装上可以看到内存有黑色和白色两款，我们收到的是白色款。通过包装的镂空设计可以看到内存的本体以及配色，右下角是红色的AMD EXPO标志，表示这款内存支持AMD的EXPO自动超频技术，用户只需要在主板BIOS里开启对应选项，即可让内存工作在最佳的频率。背面也有两个镂空的“小窗”，可以看到内存上的规格贴纸，包括品名、内存频率、容量、时序等，用户还可以直接扫描内存的信息条形码，查验产品真伪。
拿出内存后，可以看到芝奇烈焰枪 RGB采用了“上曲下方”的造型设计，散热鳍片顶部是宛如流水般的双曲边缘，夹着经典的无覆盖流线型灯带，呈现出一种内敛的高端美。与曲线顶部相呼应的，是底部三层阶梯式的纹理设计，为整体造型注入一丝硬朗风格的同时，也让内存细节更加丰富，不至于过分单调。马甲表面是一层细腻的白色漆面，漆面既不是亮面也不是粗颗粒砂面，恰到好处的哑光质感使得内存看起来更加简洁大气。
芝奇烈焰枪 RGB的灯带里配备了10颗可寻址的RGB灯珠，支持主流主板厂商的灯光调节软件，我们在测试用的ROG STRIX X870-I GAMING WIFI上进行了尝试，RGB灯珠可以顺利地被主板识别和控制，能够进行灯效的变换和调节。如果搭配纯白主机的话，可以看到烈焰枪 RGB和其他组件搭配起来十分和谐，纯净优雅的外观既不会过分抢眼，又能带出一种精致感，灯带的亮度也相当充足，而且色彩过渡自然，没有明显的断层或暗点问题。
通过CPU-Z读取数据后我们看到，这对芝奇烈焰枪 RGB DDR5-6000 32GB套条符合JEDEC DDR5规范里的4800MT/s标准，同时支持AMD EXPO技术。其中DDR5-4800的时序CL40-40-40-77，对应电压是1.10V，开启EXPO后频率就能到DDR5-6000，同时时序调整为CL26-36-36-96，电压升至1.4V。颗粒品牌为海力士，两条内存的型号一致，生产批次相同。
拆开内存马甲后，我们就可以看到两条内存的PCB了。内存采用单面颗粒设计，共有8颗芯片，芯片表面上有清晰的型号丝印，具体型号为海力士的H5CG48AHBDX018，和之前皇家戟的H5CG48AGBDX018颗粒仅有1个字母的差别，而这个新颗粒目前还未在海力士官网上查找到相关信息，根据之前的信息判断，新颗粒应该也属于海力士的A-Die颗粒，有着不错的可靠性和能效。中央是PMIC供电模块和供电电路，上方则是5颗RGB灯珠，正反面各有5颗，中央两颗做了倾斜处理，整体设计和之前的皇家戟基本一致。
超频测试：一键享受低延迟，极限突破90000MB/s
既然是针对AMD专门优化的内存，我们的测试平台自然选择AM5平台，CPU选用了AMD的旗舰处理器Ryzen 9 9950X，配的主板则为华硕ROG STRIX X870-I GAMING WIFI，ITX板型+双内存插槽的设计能更好地帮助内存尽可能达到更高的频率和更好的延迟表现。主板BIOS更新至测试时的最新版本，为2025年1月16号更新的1001测试版，AGESA版本号为1.2.0.3。内存除了本次上手的烈焰枪 RGB DDR5-6000 CL26以外，还有时序为CL28的Trident Z5 NEO RGB DDR5-6000，用来较为直观地对比出CL26和CL28两个时序下的内存读写区别。
测试流程大致分为两个部分，一个是我们经常做的常规超频测试，另一个则是时序对比测试。常规超频测试将从内存默认的4800MHz频率开始测试，然后选用主板自带的EXPOⅠ、EXPOⅡ、EXPO Tweaked三个内存超频预设挡位，测试内存在这三个挡位下的读写表现，接着再进行手动超频，以稳定过压力测试为前提，试出内存在UCLK和MCLK比率为1:1和1:2设置时的频率极限。时序对比测试则是比较两套内存在EXPOⅠ、EXPOⅡ、EXPO Tweaked三个挡位下的读写表现，看看在最简单的操作下，CL26和CL28时序的表现区别。测试软件为AIDA64，使用其中的缓存&内存Benchmark测试内存的带宽与延迟。
我们先来看看常规的超频测试。
6400C30超频过测
8200C40超频过测
芝奇烈焰枪 RGB在4800MHz时的读写速度是比较低的，在59000MB/S~63000MB/s左右，延迟也高至95.9ns，在开启EXPO I和EXPO II之后，读取速度就分别提升至76504MB/s和77511MB/s，写入速度则为78151MB/s和78082MB/s，延迟同样下降明显，从超过90ns下降至75~76ns，而这两挡之间的性能并无太大差异。开启ROG主板自带的EXPO TWEAKED优化之后，内存的写入速度和延迟进一步提升，达到了80850MB/s和69.9ns，整体表现不错。
手动超频方面，经过我们的反复尝试，在UCLK和MCLK比率为1:1时稳定超频的最高频率是6400MHz，稳定过测时序为CL30-36-36-76，此时芝奇烈焰枪 RGB的读写速度均突破了90000MB/s，同时延迟进一步下降，来到67.9ns，比起EXPO TWEAKED的读写速度分别提升16%和15%。而在UCLK和MCLK比率为1:2时，这套内存可以在8400MHz CL42下开机，但是无法完成跑分测试，调整到8200MHz CL40时能稳定跑分并通过压力测试，不过此时的性能表现较为一般，仅比EXPO TWEAKED优化后好一些，综合表现比不上1：1设置下6400MHz的成绩。
总的来说这套内存的超频潜力还是十分良好的，6400MHz频率下能将时序压到30-36-36-76，读写都超过了90000MB/s大关，表现相当优秀；高频也能拉到8200MHz，不过AM5平台还是在低延迟下收益更高，这点也在读写测试中得到印证。
接着我们来看看同频率下CL26和CL28的读写速度区别。
EXPO I对比：DDR5-6000 CL26（左）、DDR5-6000 CL28（右）
EXPO II对比：DDR5-6000 CL26（左）、DDR5-6000 CL28（右）
EXPO TWEAKED对比：DDR5-6000 CL26（左）、DDR5-6000 CL28（右）
可以看到，在DDR5-6000频率下的性能对比中，CL26时序的烈焰枪 RGB的读写性能领先幅度并不算明显，在EXPO I下两套内存几乎是一样的水平，到了缩紧小参的EXPO II后，烈焰枪 RGB的读取速度领先幅度有所增大，而开启EXPO TWEAKED后，烈焰枪 RGB的写入领先也同样有所增大，整体领先Trident Z5 NEO RGB 500MB/s~600MB/s左右。如果单纯从领先幅度上来讲，从CL28提升至CL26所带来的提升并不算太大，但EXPO目的是为了能够帮助用户更加快捷、有效且稳定地完成超频的操作，减少折腾所带来的麻烦，因此能把更低时序的参数作为EXPO预设文件，本身就是对用户的一种帮助，能够让用户一步到位地享受低延迟所带来的性能提升。
总结：更进一步的AM5专属内存
如果从DDR5内存初期就一直关注其发展的话，就大概能理解DDR5在“延迟”这条路上提升的不易，而把CL26作为预设文件的烈焰枪 RGB，正是低延迟DDR5内存的又一个脚印。虽然它的实际性能提升可能不比CL28明显高多少，但是硬件进步除了跨越式的突破以外，还有日行一步而致千里的点滴积累，每一点提升都可能是后面质变的基础。这套内存将AM5平台的内存时序进一步地压缩，让用户可以一步到位地享受低延迟的性能，同时简洁优雅的外观也贯彻了芝奇一向外观与性能并重的品牌风格，如果想找一套能让AM5平台释放更强性能，并且外观简约大气的内存的话，这套芝奇烈焰枪 RGB DDR5-6000 CL26或许是个值得考虑的选择。
