在即将于2月18日至22日在旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星展望了其最新的技术突破，将推出迄今最强大的280层3D QLC NAND快闪存储器。这项技术创新有望在未来推动M.2 SSD容量飙升至惊人的16TB，标志着存储密度和性能的重大飞跃。

根据三星提供的主题为「A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate」，这项技术拥有多项引人瞩目的特性。首先，以280层垂直堆叠的方式，实现了惊人的存储密度。其次，1Tb的容量标志着存储容量密度达到了1024 G bit。同时，4b/cell的设计进一步提高了存储密度，每个储存单元可以储存4个二进制，使得每数据占用仅为0.25个储存单元。这是一次储存技术上的巨大突破。

而三星的280层3D QLC NAND闪存的3D堆叠技术和28.5Gb/mm²的面积密度更是为其带来卓越的性能。该闪存芯片读取数据的最高速度达到3.2GB/s，体现出卓越的高速性能。这对应的「High-Speed 10 Rate」可能指的是某种特定的接口或传输协议。

三星在ISSCC 2024上将展示这一创新技术，预示着未来将推动M.2 SSD市场进入一个新的容量时代。虽然三星尚未透露具体上市产品的性能表现，但从PPT展示上可以看出，这项技术或将带来最高8TB的M.2硬盘，IO速度超过单个芯片2.4Gbps，与当今TLC闪存直接竞争。

此外，三星还计划在ISSCC 2024上展示新一代DDR5芯片，频率达到8000 MHz，为32Gbit模块，采用了三星第五代10nm级工艺技术制造。这表明三星在存储和内存领域持续取得创新突破，为未来科技发展注入新的动力。

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