光刻机搅局者终现身，5nm迈向2nm的突破！

今天，几乎所有的厂家都在制造晶片，特别是在比较高级的全微影制程中，光刻制程更是如此。

光刻机和刻蚀机，是光刻过程中不可或缺的一部分，而光刻机则是最关键的一环，因为门槛高，研发困难，供应链复杂，所以价格也是整个行业中最贵的。

另外，目前世界上拥有光刻机能力的厂商仅有四个，而7 nm及以上制程的 EUV光刻机，也只有 ASML一家。

ASML公司具有上游和下游的产业链，以及极紫外光刻技术的相关技术.可以说，对于光刻机厂家来说，制造 EUV光刻机是一件非常困难的事情，但 ASML却是将整个产业链的上游和下游都囊括了进去。

结果，许多年以来，其它的光刻厂商都绕开极紫外光刻，转向其它可以达到极紫外光刻同样性能的工艺。

你也许知道的科技有纳米压印， BLE, X光， DSA。

上述四种方法均被视为突破7 nm及更短波长范围内最有希望突破超紫外锁频（EUVLock-in）的发展趋势。

NIL奈米印刷是目前最尖端的制程，数年之前，日本光刻机厂商佳能曾和 SK海力士联手开发过 NIL奈米压印记忆体晶片，但两者均需应用在65奈米制程上。

佳能公司在去年发布了一款新型的纳米压印半导体器件FPA-1200NZ2C，并称这种器件不需要 EUV技术就可以制造5 nm晶片。

佳能近日再次强调，FPA-1200NZ2C nm光刻设备，其生产价格只有 EUV光刻的10%，功耗也只有 EUV光刻的10%。

另外，与 EUV光刻相比，在制造过程中，奈米印刷机与附属装置的制造费用可节省约四成。

佳能同时称，该公司还将持续进行产品更新，希望在2026年之前，公司可以避开极紫外光刻技术，制造出2 nm制程的产品。

不过，既然FPA-1200NZ2C纳米印刷机还没有完全投入生产，我也不知道佳能是否只是在说大话，或者说它确实已经超出了它的能力范围。

与此同时，有行业人士指出，目前的纳米印刷工艺，良品率和成品率都远低于 EUV，因此并不适用于大规模的集成电路，而是适用于小型集成电路。

但可以肯定的是，一旦该技术量产，将会给 EUV光刻带来极大的冲击，从而带来一场革命性的变革。

虽然因为禁止，我们现在还无法购买，但是这起码让我们有了一个新的研究思路，或许我们就不用在 EUV上浪费时间了。