退火工艺是半导体制造过程中的重要环节，旨在通过加热和冷却过程改善材料的电学性能、晶体结构和可靠性。以下是一些主要的半导体退火工艺类型：

半导体退火工艺​ 各类类型对比

各退火工艺简介

管式炉退火：将材料放在一个封闭的长管形炉膛内。这个炉膛通常由耐高温的材料如石英制成。管炉的周围包裹着电阻丝，可以通过电阻加热将炉膛加热、控温，确保温度分布均匀并达到所需的退火温度。适合进行长时间的退火处理，特别是对于需要严格控制温度梯度和时间参数的高温工艺。

RTP快速退火：RTP通过高强度光源（如：红外灯）迅速加热晶圆，可以在极短的时间内（几秒到几十秒）达到所需的高温，并且能迅速冷却至室温，极大缩短了退火周期。可以精确控制加热和冷却速率，以及达到的温度和时间，从而提高工艺的稳定性和重复性。对电子、陶瓷、无机、金属、复合等新材料和器件的快速热处理相关研究、生产有重要作用。

激光退火：是使用集中的激光束将材料局部加热至所需高温。特定波长和功率的激光束经过透镜聚焦并扫描在目标表面，进行局部瞬间加热。根据需要可调整目标区域保持在高温下的时间，之后目标区域迅速冷却至室温。常用于微电子器件的局部加热和退火处理，以及半导体制造中的精细图形处理和晶格缺陷修复等。