近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB（ES阶段），为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。
此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。
DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。
作为一家存储龙头企业，佰维存储近日展示了eMMC、eMCP、ePOP、LPDDR4X/5/5X等全系智能穿戴存储解决方案。目前，系列方案已广泛应用于智能手表、智能眼镜、智能手环、AR/VR头显等穿戴设备。
智能穿戴产品通过集成心监测、睡眠分析、智能导航、虚拟现实沉浸体验等功能以及个性化定制，极大提升了用户体验。作为智能穿戴设备的关键部件，存储器在确保设备功能实现和数据安全保障方面发挥着核心作用。佰维存储依托在存储介质特性研究、自研固件算法、多芯片异构集成封装技术及自研芯片测试系统与算法等领域的深厚积累，结合对市场需求的深刻理解，推出了系列具备高性能、低功耗、小尺寸、高可靠性和高耐用性等优势的智能穿戴存储产品，兼顾支持客户差异化需求，能够灵活满足不同设备和应用场景的要求。
佰维eMCP4x、ePOP4x基于多层叠Die、超薄Die、多芯片异构集成等封装工艺，集成了eMMC5.1和LPDDR4x，数据传输速率高达4266Mbps，且采用先进低功耗设计和优化电源管理技术，确保设备快速响应多种传感器数据请求，处理多任务时保持流畅运行。其中，ePOP4x容量达32GB+2GB（将推出64G+2/3/4GB，赋能AR、VR等设备AI应用），尺寸小至8×9.5×0.7（mm），并通过直接贴装在SoC芯片上，助力智能手表轻薄设计。目前，ePOP系列产品已广泛应用全球知名企业高端穿戴设备中，并获评“全球电子成就奖年度存储器”、“最佳存储芯片”、“‘中国芯’关键基础支撑优秀产品”。
此外，佰维亦提供UFS3.1、uMCP4x/5、LPDDR4X/5/5X等系列产品，其中公司新一代LPDDR5X采用1bnm制程工艺，与上代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，确保设备高效运行和长久续航，赋能高端智能手机等终端设备高效流畅运行。目前，佰维LPDDR系列产品已进入多家消费电子龙头企业供应体系。
作为国内领先的存储解决方案提供商，佰维存储凭借在存储器小型化和集成化技术上的长期积累，在智能穿戴领域赢得了终端客户的广泛认可。随着智能穿戴设备逐渐向增强现实（AR）和虚拟现实（VR）等端侧应用拓展，对存储与计算高效整合的需求日益迫切，佰维存储在这些技术领域的深厚经验使我们在拓展端侧人工智能（AI）和AR应用上具备了先发优势。
佰维存储公司为Meta最新款AI智能眼镜Ray-Ban Meta提供ROM+RAM存储器芯片，Ray-BanMeta智能眼镜系列搭载高通第一代骁龙AR1平台，该平台专门针对散热限制在功耗方面进行独特设计优化，以打造轻量化的智能眼镜。公司研发封测一体化的布局，在智能可穿戴领域具有较强的竞争优势，能够在低功耗、快响应等方面进行固件算法优化设计的同时，通过先进封测工艺能力，助力产品的轻薄小巧。
Q1. 公司在可穿戴领域的产品竞争力如何？公司未来在可穿戴产品领域有什么规划？
A1：基于公司研发封测一体化的布局，公司存储器产品在智能可穿戴领域具有较强的竞争优势，能够在低功耗、快响应等方面进行固件算法优化设计的同时，通过先进封测工艺能力，助力产品的轻薄小巧。
公司在智能穿戴领域目前已进入 Google、Meta、小米、小天才等知名企业，产品应用于其智能手表、智能眼镜等。其中，在智能眼镜领域，公司为 Ray-Ban Meta 提供 ROM+RAM 存储器芯片，是国内的主力供应商；同时，公司与 Meta 合作稳定，订单量持续增长。未来，公司将在智能穿戴市场持续投入战略性资源，力争成为主要参与者。
Q2. 公司产品应用范围广阔，如何理解公司在产品体系方面的优势？
A2：公司专精于半导体存储器领域，布局了嵌入式存储（eMMC、UFS、LPDDR、eMCP、ePOP、uMCP、BGA SSD 等）、固态硬盘（SATA/PCIe）、内存模组（SODIMM、U-DIMM、R-DIMM、CXL DRAM）、存储卡（SD 卡、CF 卡、CFast 卡、CFexpress 卡、NM 卡）等完整的产品线矩阵，涵盖 NAND Flash 和 DRAM 存储器的各个主要类别。
公司拥有完整的通用型存储器产品线，以满足终端客户对标准化、规模化存储器产品的需求；同时，亦针对穿戴和工车规市场提供有国际竞争力的存储解决方案。公司已经形成完备的半导体存储器产品开发体系，可根据客户市场需求和下游应用的演进趋势对产品进行快速迭代升级，在支撑客户业务的同时也推动了公司核心技术的不断提升，使公司的产品体系始终满足市场和客户需求。
Q3. 公司在企业级领域有哪些产品布局？
A3：公司企业级存储可分为 SATA SSD、PCIe SSD、CXL 内存及 RDIMM 内存条四大类产品，其中公司 SS 系列企业级 SATA SSD 产品采用 SATA 6Gbps 接口规范，搭载 DDR4 外置缓存；公司 SP 系列企业级 PCIe SSD 产品，采用创新架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，可为客户提供业界领先的KIOPS/Watt 综合性能；公司 CXL 内存扩展模组产品，支持 CXL2.0 规范，内存容量高达 96GB，支持 PCIe5.0×8 接口，理论带宽高达 32GB/s，可与支持 CXL 规范及 E3.S 接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。
公司的企业级 RDIMM 内存条产品，支持 DDR4 规范，通过了国内外主流的 CPU 厂商的认证，可广泛应用于数据中心、互联网、云计算、工作站等应用场景。
Q4. 公司持续发力主控芯片环节，目前公司主控芯片有什么进展？为什么选择在主控芯片环节加强投入？
A4：公司推出的第一颗国产自研主控已完成批量验证，性能优异。公司自研主控支持 QLC 颗粒，迎合手机存储 QLC 替代趋势，同时也能够进一步增强公司产品在穿戴领域的竞争力。公司将持续加大芯片设计的研发投入力度，为打造服务 AI 时代高性能存储器奠定坚实的技术基础，提升公司在产业链的价值占比，进而提升公司盈利能力。
Q5. 泰来科技目前的自动化水平如何？
A5：泰来科技（惠州封测生产制造基地）通过芯片封装设备、模组制造设备以及测试设备系统的一体化智能联机运行，实现高度自动化及制造过程的全程可追溯性。通过设备联机化改造及 AGV 机器人的导入，芯片封测生产模块目前可达到 99%自动化生产水平，模组制造测试模块目前可达到 91%自动化生产水平。
Q6. 公司在固件算法方面有什么优势？如何赋能公司的主控芯片？
A6：公司自研固件算法，掌握了接口协议、FTL 核心管理算法、QoS 算法、数据保护、数据安全等核心固件算法，全面掌握了存储固件核心技术，有能力匹配各类客户典型应用场景，并能够为客户提供创新优质的存储解决方案。同时，公司有能力结合算法需要定义主控芯片架构，以提升算法效率和实现基于应用场景的硬件加速及效能优化，进一步提升产品在智能穿戴、企业级、工车规级等场景下的竞争优势。
Q7. 晶圆价格与公司毛利率水平存在什么关系？
A7：公司核心原材料为 NAND Flash 晶圆和 DRAM 晶圆，存储晶圆的采购价格变动对公司的成本结构具有较大影响。通常来说，上游存储晶圆市场价格上行，存储器的市场价格也会同向波动。公司毛利率变动受产品结构、上游原材料供应情况、存储市场需求波动、市场竞争格局变化等因素综合影响。
