半导体陶瓷电容器定义及分类
半导体陶瓷电容：半导体陶瓷电容分为表面型和晶界层型两种类型。
表面型半导体陶瓷电容器（SBBLC）是指：瓷片本体已半导化，然后使其表面重新氧化而形成很薄的介质层，之后再在瓷片两面烧渗电极而形成电容器。
晶界层型半导体陶瓷电容器（GBBLC）则是：沿着半导体化的瓷体之晶粒边界处形成绝缘层，再在瓷片两面烧渗电极，因而形成多个串、并联的电容器网。
两者区别：
从成分与结构上看，两者之主要差别在于前者以铁电体BaTiO3为主成分,介质层主要位于陶瓷体的表面;
后者则以顺电体SrTiO3为主成分，介质层则基本位于瓷体内各个颗粒的表面。
两者工艺之间也有很大的差别。就电性能而论后者优于前者。SBBLC虽有比体积电容较大、工艺较简单和价廉等优点;但其主要缺点是介质损耗偏大、工作电乐偏低、绝缘电阻较小、电容值随温度变化较大及弛豫频率过低等。GBBLC的研制成功及产业化，一定程度地解决了前者的不足之处。
半导体陶瓷电容器工艺
1.表面型半导体陶瓷电容器
通常用挤制法成型，将施主掺杂的BaTIO3基陶瓷材料制成的瓷片，在1280~1380°C大气条件下饶结，获得均匀细晶瓷体和良好的介电性能，然后在1000~1100°C还原气氛下,使之半导化，形成氧缺位的n型半导体,成为半导体瓷片,继而在900~1000°C的氧氛围中进行再氧化.在半导体瓷片表面形成一层薄薄的(约10~20μm)氧化介质层,然后在瓷片两面印刷专用银浆，经800~850°C烧渗形成电极,从而构成电容器主体。
2.晶界层型半导体陶瓷电容器
GBBLD的工艺，最早是在以SrTiO3为主晶相的瓷料，在≥1400℃高温的还原炉中半导化，然后再在略低的温度下作二次氧化处理，使其形成介电绝缘壳层。人们觉得太麻烦，便发展了高温一次烧成法和低温一次烧成法。
半导体陶瓷电容器的应用
广泛用于通讯、计算机、电视机、音响、电子玩具以及所有不需或不能采用表面安装技术(SMT)的各式各样电子产品中。
