前段时间，权威机构公布了一台国产光刻机，分辨率是小于等于65nm，套刻精度小于等于8nm，按照这些参数来看，应该是最顶级的干式DUV光刻机，离浸润式DUV光刻机，也仅一步之遥了。

但是，大家都清楚，光刻机巨头ASML在20年前，其实就已经生产出浸润式DUV光刻机了，所以严格的来讲，从这台国产光刻机展现出来的参数来看，实际上我们落后ASML有20年左右。

很多人表示称，国产光刻机已经表现非常不错了，要知道落后ASML这么多年，都快要追上来了。

但事实上，很多人并不清楚国产光刻机的研发历史，事实上，我们研发光刻机，可比ASML早多了，ASML是1984年成立的，至今大约是40年左右的历史。

但我们研发光刻机，最早可以追溯到上世纪60年代，而在1965年，我们就拥有了65型接触式光刻机，那时候离ASML成立还有近20年时间呢。

那么为何我们研发光刻机比ASML早20年，最后技术却落后ASML20年，是什么原因造成的呢？

有两个原因，一个原因是1971年中美建交，为了体现诚意，美国说很多高精尖技术的东西，美国可以卖给你们，你们不必要研发，浪费钱。

而事实上，当时中国也确实没钱， 研发这些也确实有一点力有从心，于是“造不如买”思想占上风，很多有难度的，投入大的项目，在当时真的砍掉了一些，因为当时大家看的没有那么长远，所以光刻机在当时差不多也算停了。

第二个原因，则是ASML的光刻机，其实并不是ASML一家的力量，ASML其实是集合了欧美整个西方的力量，还得到了台积电、三星、intel等的支持。

比如ASML研发出浸润式光刻机，是台积电帮的忙，林本坚提供的思路。EUV光刻机，则是美国提出了理论，再论证，研发出了原型，再交给ASML来完善。

而ASML只是方案整合商，将全球的这些供应链整合在一起，绑上自己的战车，所以才能够这么顺利的研发出各种光刻机。

而中国研发光刻机不一样，一是中间停了近20年时间，二是欧美这些西方国家对中国进行技术封锁，各种先进的技术、零件不准提供，无法去整合全球先进的供应链，全部要靠自己。

所以如今国产光刻机，落后ASML有10到20年的差距，这是多方面的原因造成的。

不过，随着国产半导体产业链的崛起，以及国产科技的发展，这几年国产光刻机的发展也得到了长足的进步，很多的关键技术、零件都有了突破，相信很快我们的浸润式DUV光刻机，甚至EUV光刻机也快要生产出来了，一旦有了浸润式DUV，EUV，那么中国芯片产业，将再也无惧打压了。