韩国媒体：中国技术占比71%，美国已无法阻止中国芯片的摧枯拉朽

据韩国媒体《中央日报》报道称，其和大韩商工会议在针对韩国、美国、中国、日本、欧盟等五大知识产权局所申请的半导体芯片专利进行分析后发现，由中国企业申请的半导体专利数量，从当初的14%，一路上升到了71%，并且呈现出持续上升的趋势。

中国企业在被美国封锁的情况下，进行了全产业链的技术发展。在存储器领域，韩国三星、SK海力士、日本东芝、美国的美光等企业，一直都是行业的龙头老大。三星依靠着3D堆叠技术的先发优势，申请了大约2.3万件相关的技术专利，并且已经在闪存颗粒的堆叠层数上面达到了280层，成为了闪存市场的技术先行者。

但是中国的长江存储依靠全新的自研Xtacking架构，实现了232层的闪存颗粒堆叠，通过晶圆键合技术将读取速度比上一代产品提升了50%以上。

根据欧洲专利局在全年的存储技术专利报告上面指出，来自于长江存储自研架构的专利申请数量，已经达到了6892件。而韩国的三星、海力士等老牌企业，在新专利群的申请数量上面有明显优势，分别是12206件和8743件。

尽管中国企业的闪存专利申请数量对比韩国企业有较为明显的差距，但是来自于中国的长江存储，从成立到现在也才不到10年的时间。用10年的技术发展，追赶韩国企业几十年的发展成果，后发制人的优势在中国企业身上已验证成功。

而在逻辑芯片领域，曾经被美国企业主导，随后演变成了三星、台积电两家企业在先进芯片制造上面的博弈。

由于美国对中国企业进行了技术与制造设备上面的双重封锁，导致中国企业在先进芯片的技术发展当中落后一截。但是中国企业通过多重图案化和3D封装技术，将晶体管的后道金属互连层增至17层，通过铜-钌复合阻挡层将电阻降低18%，成功在原本14nm工艺芯片的基础上，实现了等效7nm工艺的性能水平。

尽管这些国产技术的7nm芯片，在产能、成本、能效上面不算特别优秀，但是在被美国封锁制裁的情况下推出先进芯片的制造工艺，已经属于超水平发挥了。

在中国企业顶着美国压制推出了先进芯片之后，国际技术机构techinsights对此发表了评价，该机构认为，中国企业能在被全面制裁下通过新技术制造先进芯片，这本身已经超出了行业内的认知，中国企业完成了一个看似不可能完成的技术项目。

韩国大韩商工会的首席研究院尹正锡也表示，随着美国对中国企业的矛盾加深，给中国企业带来了前所未有的危机感。这种危机感，是刺激中国半导体技术发展的关键因素。想要以后不被中美两国的技术淘汰，韩国部门要前瞻性的考虑对本国内的芯片企业提供特殊补贴。

据产业报告显示，在美国初步打压中国企业的2018年，中国半导体产业的自主设备自给率仅仅只有5%。经过了五六年的发展，如今的自给率已经达到了25%左右，并且这个数值呈现出持续上升的趋势。

以北方华创、中微半导体等芯片设备企业为核心，进行自主设备的全产业链协同发展。

根据美国半导体协会发布的全球技术报告显示，中国北方华创公司所推出的ICP刻蚀机产品，其脉冲射频电源技术可以将等离子体密度稳定在±1.5%区间。而南大光电的AfF光刻胶产品，可以有效的将线宽粗糙度控制在1.8nm以下，与中国国产技术的刻蚀机产品相匹配。

中电科装备集团自主研发的28nm中束流离子注入机，已经在中芯国际的12英寸生产线当中投入使用，其稳定流片的晶圆数量超过200万片。从2015年开始，中电科的芯片制造设备已经成功进入了中芯国际90nm、55nm、40nm、28nm的芯片生产线，成功实现了量产商用。

并且其自主研发的200mmCMP化学抛光设备，也已经在中芯国际的工厂中进行了技术验证。而且由中电科推出的CMP设备，是在突破了10项技术封锁、改进了50多项技术环节之后，研发出的国内首台拥有自主知识产权的化学抛光设备，实现了自主技术的市场化发展。

中国的半导体产业链，已经在多个技术环节实现了自主化技术的更替。根据世界知识产权组织的数据表示，中国企业在芯片领域的PCT申请数量占比达到了38%，高价值专利占比提升到了22%，并且由中国企业开创的设备技术，将会继续占据全球的芯片市场。