香港知名科技媒体南华早报报道：美国对中国芯片产业的限制愈演愈烈，但中国科学家们通过开辟创新路径，在极紫外（EUV）光刻技术领域取得了重大突破。
据香港观察人士称，2023年12月30日，哈尔滨工业大学的研究团队在黑龙江省高校科研人员创新成果转化大赛中荣获一等奖，展示了他们研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"技术。
这一成果不仅意义非凡，还引发了对中国芯片制造未来潜力的广泛关注。
近年来，美国通过一系列严格的出口管制措施试图限制中国获取EUV光刻机及其相关技术。
荷兰的ASML公司是全球唯一能够制造EUV光刻机的企业，但在美国压力下，自2019年以来，ASML已被禁止向中国出售最先进的EUV设备。
面对这一技术封锁，中国科研团队迎难而上，不断推进自主研发，寻求打破封锁的出路。
哈尔滨工业大学团队的技术突破2023年，哈尔滨工业大学航天学院某研究团队研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"项目脱颖而出。
根据公开资料显示，该技术具有高能量转换效率、成本低、结构紧凑、技术难度较低等优势，能够产生波长为13.5纳米的极紫外光。这种波长的光源正是当前光刻市场急需的核心技术。
传统EUV光刻技术主要依赖于激光生产等离子体（LPP）方法，其过程复杂，需要高能量激光器轰击液态锡滴，从而产生等离子体。
然而，中国研究团队采用了不同的方法——激光诱导放电等离子体（LDP）技术。具体来说，激光首先将少量锡汽化为云状物，随后通过两个电极施加高压，将锡云转化为等离子体。在这一过程中，高价态锡离子和电子频繁碰撞并辐射，产生极紫外光。
与LPP技术相比，LDP方法具有更高的能量利用效率，同时成本更低。然而，这种方法在优化放电脉冲参数和时序上仍面临技术挑战，且有部分专家担心其功率输出可能受到限制。
即便如此，研究团队自2008年起便开始致力于放电等离子体EUV光源的研发，此次获奖表明团队已在关键领域取得了新的进展。
此外，中国其他研究团队也在EUV技术上取得了一定成果。中科院上海光机所、广东湾区航天信息研究院、清华大学等机构分别从不同技术角度推进EUV光源与相关设备研发。
比如说，清华大学正在牵头建设一项国家重大科研基础设施项目SSMB-EUV，目标是为未来光刻机提供光源。
虽然这些进展令人鼓舞，但美国的出口管制政策始终对中国半导体产业发展形成巨大阻力。
2023年10月，美国商务部更新了对半导体设备的限制措施，并进一步扩大了对EUV掩模版和蚀刻机等关键部件的管控范围。
在这样的背景下，中国科研团队的每一次突破都显得弥足珍贵。
EUV技术突破的意义与挑战中国在EUV领域的突破不仅是技术上的进步，更是在国际博弈中的重要战略胜利。
EUV光刻技术被视为半导体制造领域的皇冠明珠，其核心设备和关键技术长期以来被西方垄断。
而哈尔滨工业大学团队的研究成果证明，中国完全有能力通过自主创新，逐步打破技术封锁，实现高端制造的技术独立。
首先，这一突破有望缓解中国半导体产业在先进制造能力上的短板。
目前，全球仅ASML公司能够生产EUV光刻机，而ASML的设备和技术对中国市场的禁售政策，导致国内芯片制造企业在7纳米及以下制程上受限严重。
哈工大研究团队研发的LDP技术不仅提供了另一种可行的EUV光源路径，还具有高效、低成本的优势，能为后续国产EUV光刻机的研制提供重要支持。
其次，这一技术突破的背后是中国在高端科技领域整体实力的体现。EUV光刻技术需要在光源、光学系统、掩模版等多个领域的协同创新，而中国研究团队的研究仅仅是其中的一个切入点。
从上海光机所到清华大学，各大科研机构在EUV技术上的努力显示出中国科技体系的整体优势和深厚积累。这种体系化的研发能力，正是突破技术封锁的最大底气。
然而，挑战依然存在。一方面，LDP技术虽然具有高效和低成本的特点，但其功率输出能力尚需进一步提升，才能满足大规模芯片生产的需求。
另一方面，EUV光刻机是一个高度复杂的系统工程，光源只是其中的一环，高精度光学镜片、掩模对准系统等关键部件仍需中国科研团队协同攻关。
此外，国际技术封锁和市场壁垒也将成为中国半导体产业发展的长期障碍。
美国主导的出口管制政策不仅限制了中国获取先进设备的渠道，还试图通过联盟施压的方式，遏制中国企业参与国际半导体产业链。
因此，中国在推进技术攻关的同时，也需要通过政策支持、产业协同和国际合作，形成更为稳固的产业链生态。
稍作小结哈尔滨工业大学团队在EUV光源技术上的突破，标志着中国在先进制造领域迈出了关键的一步。
这不仅是一项科研成果，更是对国际技术封锁的一次有力回击。尽管前方仍有诸多挑战，但中国科研团队的创新能力和不懈努力，为半导体产业的未来发展注入了信心。
可以预见，随着更多类似技术的不断涌现，中国在高端芯片制造领域的自主可控能力将进一步增强，为全球半导体行业格局带来新的变化。
