全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起
功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起:从技术受制到全球引领的历程与未来趋势当前功率器件正在经历从传统的硅基功率器件持续
杨茜碳化硅功率半导体技术的文章
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深度分析国产碳化硅MOSFET技术障眼法的劣币乱象终端客户老板爆料某国产碳化硅MOSFET下作的手法并将其打入黑名单:某
为什么不少投资人说国产碳化硅MOSFET行业几乎是一场骗局,并且深度担忧国产碳化硅(SiC)MOSFET行业“劣币驱逐良
Analysis of the truth and potential hazards behind the publi
国产碳化硅MOSFET“最低导通电阻和最低比导通电阻”宣传噱头背后隐藏的真相与潜在危害分析:为了谋求短期利益博取融资或者
BMF240R12E2G3解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势分析一、效率提升:高频、低损耗与高温稳定性低导通电阻与
虽然碳化硅逆变焊机成为焊接行业发展趋势,但部分中小逆变焊机厂商因成本敏感,倾向于选择低价的国产碳化硅MOSFET,但未意
The essence of the "bad money phenomenon" of domestic silico
碳化硅功率半导体的高国产化程度是中国制造2025战略的典型成果,通过政策引导、产业链整合、技术创新与市场需求共振,实现了
碳化硅(SiC) MOSFET的双极性退化(Bipolar Degradation)是其在实际应用中面临的重要可靠性问题
国产碳化硅MOSFET的“劣币现象”本质是牺牲可靠性换取短期利益,其恶劣影响从器件失效风险蔓延至行业信任危机与国家战略安
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ST 和 Microchip 等国际 MCU 与碳化硅功率器件厂商进行大规模裁员,这一现象背后反映出全球半导体产业格局正
部分国产碳化硅MOSFET公司缺乏DOE能力并且仅凭有限的工程设计经验就敢开发器件并推销给终端客户,拿客户当试验田,这种
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2025年被广泛视为碳化硅(SiC)器件在电力电子应用中全面替代IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的元年,在于国产SiC(碳
进入2025年,随着碳化硅功率模块版本的高效率储能变流器PCS成为行业优选,储能变流器(PCS)厂商开始大量采购国产Si
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