爱仕特内绝缘型SiCMOSFET,为能效优化提供新动力
爱仕特推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。
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爱仕特推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。
近日,赛迪科创发布《赛迪科创Pre独角兽(2023)》榜单,爱仕特作为碳化硅功率器件领域的代表性企业,凭借高成长、高潜力、领先的核心技术和优秀的市场表现力等方面的突出表现,成功入选。
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近日,世界集成电路协会(WICA)发布2024年全球集成电路产业综合竞争力百强城市白皮书,其中中国大陆有26个城市入围,
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