五年诉讼后，美国方无罪认定大陆芯片企业！

历经五年之久，福建晋华集成电路有限公司终于传来好消息：美国法院裁定福建晋华窃取了美国半导体公司的商业机密。

说来话长，我慢慢道来。

2016 年，该公司建立了三大 NAND 闪存生产基地，即长江存储和长攻公司、专注于 DRAM 的长鑫存储和专注于动态随机存取的福建晋华公司。

福建晋华与联电签订了合作协议，先委托晋华开发产品，然后将所有技术转让给晋华。

项目总投资预计将超过 200 亿美元，分三个阶段实施。第一阶段投资 53 亿美元，预计于 2018 年第三季度投产，产能为 60 万台。

2017 年 9 月，一切还算顺利，美国存储芯片制造商 American light 却插了一脚，起诉联电员工窃取美光 DRAM 技术商业机密，帮助晋华开发 DRAM 存储器。

美光跳槽的原因是什么？不难理解，美光公司作为一家营业额 40% 来自中国的全球内存芯片制造商，正在拼命阻止这种情况的发生，因为它不希望这种情况在中国市场发生。

随后，美光以福建晋华为被告提起诉讼，而福建晋华则在美国通过限制晋华出口管制的 "实体清单 "后起诉美光侵犯版权。

2018 年 11 月，美国司法部指控福建晋华和联华电子侵犯商业秘密。

2021 年，美光与联电达成全球和解，并因两起诉讼退出联电业务。

然而，美光与福建晋华集团之间的争端尚未结束，而福建晋华集团与美国之间的争端仍未解决。

美光公司与福建晋华签署了全面合作协议，在此期间双方没有发生任何违规、纠纷或其他问题。

然而，美国司法部对福建晋华穷追不舍，不仅是针对福建晋华，更是针对中国的科技进步，以 "保护美国技术 "为借口，阻碍中国的科技进步。

不过，很显然，'美方窃取商业机密'的指控是有根据的，其背后的原因，很可能是美方承认了，毕竟中国存储芯片的崛起，是大势所趋，而美光在中国的情况，却比较复杂，美光为了进入中国市场，只能认栽。

不过，美光想在中国市场恢复到以前的水平，那是不可能的，因为国内的长鑫存储芯片已经研发成功，长鑫肯定不会给美光好脸色。