去年年底哈尔滨工业大学在高精度激光稳频、光学非线性误差精准抑制、高速高分辨力干涉信号处理等多项关键技术方面取得持续突破，研制成功了系列超精密高速激光干涉仪。这个超精密高速激光干涉仪就是用于光刻机的平面光栅激光干涉仪。至此我国国产DUV光刻机的最后一道技术难关被攻克。平面光栅激光干涉仪是高性能DUV光刻机的核心部件，是具备亚纳米测量精度的测量设备。在光刻机上主要用于测量光刻机镜头、掩膜版、双工件台等部件的精确位置信息，是保证光刻机加工精度的关键部件。
该激光干涉仪激光真空波长相对准确度最高达0.96纳米，位移分辨力为0.077nm，光学非线性误差最低为13pm，最大测量速度为5.37m/s。目前该系列干涉仪已成功应用于我国350nm至28nm多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域，为我国光刻机等高端装备发展提供了关键技术支撑和重要测量手段。 而且还可为我国7 nm及以下节点光刻机研发提供重要的共性技术储备。
实际上用于加工28纳米芯片的国产DUV光刻机已于2021年下线交付用户，用于芯片生产线的的调试和工艺改进。但28纳米国产DUV光刻机迟迟未能投入批量生产。最后一个技术难关就出在激光干涉仪上，当时使用的激光干涉仪是多轴激光干涉仪，长时间调试仍然未能达到量产标准。好在去年年底哈尔滨工业大学研制成功了平面光栅激光干涉仪，平面光栅激光干涉仪的测量精度是远高于多轴激光干涉仪的。终于解决了国产28纳米国产DUV光刻机批量生产前的最后一个技术难题。其实荷兰ASML公司用于生产28纳米芯片的DUV光刻机用的也是多轴激光干涉仪，但是到了生产14纳米芯片的DUV光刻机就换成了平面光栅激光干涉仪。而且更高精度的EUV光刻机使用的也是平面光栅激光干涉仪。
也就是说哈尔滨工业大学研制成功的平面光栅激光干涉仪，经过改进可以满足更高精度光刻机的潜力。我们知道使用DUV光刻机采用多重曝光工艺最多可以制造7纳米的芯片。在7纳米这个节点上使用DUV光刻机或者EUV光刻机都是可以的。而EUV光刻机对激光干涉仪的精度要求更高，需要达到0.1纳米。哈尔滨工业大学研制成功的平面光栅激光干涉仪的相对准确度是0.96纳米，而位移分辨力为0.077nm，也就是精度高于0.1纳米。也就是说经过优化改进，国产平面光栅激光干涉仪完全可以满足国产EUV光刻机的需要。至此可以说，用于制造28纳米、14纳米、7纳米芯片的国产DUV光刻机技术已经全部突破，剩下的只是技术集成和调试优化的问题。据媒体报道用于生产28纳米芯片的国产DUV光刻机可能已去年年底投入芯片生产线批量生产。用于生产14纳米芯片的国产DUV光刻机可能会在今年下半年投入芯片生产线批量生产。而用于生产7纳米芯片的国产DUV光刻机年底前也有望投入芯片生产线批量生产。
28纳米生产工艺可以满足70%左右芯片的生产要求，7纳米生产工艺可以满足90%左右芯片的生产要求。据International Business Strategies数据显示，2022年中国大陆的芯片自给率提升至25%左右。从25%到90%这中间有着巨大的增长空间，足以保证我国未来几年内半导体产业保持高速增长。当然这只是针对光刻机这个设备而言的，在半导体生产线上我们仍然有很多设备和材料上的空白和短板需要填补。尽管如此，在国产光刻机这个最关键的半导体生产设备上我们已经实现了突破，相信经过半导体产业众多企业的共同努力，后面的空白和短板会越来越少。中国半导体加油！
希望是真的，赶快量产吧
美国将把中国逼成他永远无法战胜的对手。
已经说三四年了，一年推一年[呲牙笑][呲牙笑][呲牙笑][呲牙笑]
哈工自己都出来澄清不是真的，你发这个又想来骗流量
加油
希望是真的而不是自媒体整天自嗨的报道[得瑟]
人造月亮呢？说几年了？？？[得瑟][得瑟][得瑟]
这次阿斯麦尔为了围堵国产光刻机，又要编出可以向中国出口duv光刻机而不受美国限制的说辞了，我们生产不出来它就不卖，我们生产出来了，它就打压，然后编出一切都是美国原因，自己不得已而为之。破坏我国的产业链他们的目标都是一致的，有的只是他们外交官把责任推给对方技巧，不要只看他们的言语，要看他们的行动。
写得太好了，该文章有效期10年
镜头，镜头，哪家光学厂造好了？准备出货？
画图骗了好几年经费的上海武汉佬就是不见实货。
又开始给普通网民灌鸡汤了，博眼球。几年了，进展缓慢，国家队出手也不行。以量产为前提再发文吧！
事实是一制裁，国产90nm的光刻机也造不出，因为重要部件也是进口的。
山东潍坊已研制出1钠米的光刻机！热泪盈眶热烈祝贺！
清华北大在哪里！国之重器还靠国防七子[点赞][点赞]
90纳米还没玩明白，吹吧继续吹，1纳米已经取得重大突破
光刻胶
中国一一加油！
二年前就有望量产了 现在还是这个话 你这什么意思
天天突破。
可喜可贺！
28nm能打通整个产业链就不错了！
不费一枪一弹，就把美国吓死。
总是雷声大雨点小，要有信心，但也不要吹过头嘛，奋战在一线的科研者，加油。
科研交给大学吧，科研所都是混工资的
这个量产说了好几年了，汉芯警告⚠️
全部都是大话佬，讲可生产什么多少纳米全部德个讲。大只讲。
希望是官宣，不是自嗨。
那个紫光为什么要转那么多次弯，有点故弄玄虚的感觉[呲牙笑]
希望是真的，7纳米能用很长一段时间！euv也没多久了！
太好了
其他的不确定，但14纳米肯定是突破了，麒麟低端芯片已经回来了
真的假的啊
7纳米芯片手机大部分人足够用了。把内存加大。
7nm可以满足100%的芯片需求
有所突破就为期不远了。加油！
28纳米都没见投产。现在又到了14纳米，明天直接到3纳米了。
就是心虚的厉害天天吹
此100亿人民币的资金支持奖励。
山东大学的成果[呲牙笑]
国家应成立科技贡献奖基金，让国人捐款奖励每年杰出贡献的优秀人才。
加油[点赞]
干，干，黎明之光
金燧奖金奖，排名第一的，实至名归[点赞][点赞][点赞]
阿猫阿狗做自媒体为搏流量没底线
何时痛饮黄龙府？高筑神洲风雨楼！
收藏了，年底再过来看看
骗补贴，国内都这样玩
这个超精密高速激光干涉仪就是用于光刻机的平面光栅激光干涉仪。至此我国国产DUV光刻机的最后一道技术难关被攻克。平面光栅激光干涉仪是高性能DUV光刻机的核心部件，是具备亚纳米测量精度的测量设备。在光刻机上主要用于测量光刻机镜头、掩膜版、双工件台等部件的精确位置信息，是保证光刻机加工精度的关键部件。  该激光干涉仪激光真空波长相对准确度最高达0.96纳米，位移分辨力为0.077nm，光学非线性误差最低为13pm，最大测量速度为5.37m/s。目前该系列干涉仪已成功应用于我国350nm至28nm多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域，为我国光刻机等高端装备发展提供了关键技术支撑和重要测量手段。 而且还可为我国7 nm及以下节点光刻机研发提供重要的共性技术储备。
不是有100万个部件吗，这就能量产了，不是大家不信，是吹了好几年也没实现，还在吹
激光精度取决于波长，不是什么高科技，测量镜片平整就用到，大学都做过实验，不是什么高科技。
哪些领域要这么高精度的芯片啊？
是真的吗？
吹牛，骗流量
又是在＂意淫＂！
至少这篇文章的作者还是懂光刻技术，并且描述比较精准。相较于其他博主的胡乱拼凑，这篇文章的可信度真的高不少。
给哈工大点赞！这才是我们需要的大学！看来明年哈工大的经费可以上涨了[点赞]
镜头呀，没有符合14纳米工艺的国产镜头
看来小编在胡说八道呀！
一被制裁后……然后各种与芯片相关的公司，今天这个突破了，昨天那个突破了……明天又到另一个，层出不穷的[流鼻涕][流鼻涕][流鼻涕]
洗洗睡吧，别胡言乱语了，这么容易突破，丑国用得上拉帮结派搞封锁吗？
写错了吧，应该是汪汪叫那个汪
继续吹[得瑟]
现在就是这风格，要适应
吹牛皮
国产DUV的垒打了好几年了，该把雨落下来了
我居然看懂了，有点技术知识哦
不研究觉得好像高不可攀，结果一研究通达路径太多了，祝贺了[点赞][点赞][点赞]
国家补贴多少钱
镜头没过关，只能制造90nm
山东潍坊已研制出1钠米的光刻机，能在跳蚤身上刻芯片！热泪盈眶热烈祝贺！
庄家有三个蛋，扯两个不要了
国人都希望是真的，真的吗？
光刻机卡脖子的就剩这四个了吧：光源、镜头、光刻胶、试验台
物镜系统呢？
90纳米光刻机还只是在展览厅呢
真有信的？28nm还在实验室中难产。
什么文章，抄作业，吸眼球[得瑟][得瑟][得瑟]
好消息，加油。国家应该给予该团队100
都3了，还在拼14？[得瑟]
一道不会做的数学题觉得太难了！做出来以后觉得不过如此！
山东大学的成果[呲牙笑]
提升良品率还要好几年
写错字了，是凉产。
[点赞][点赞]
又是年内！
14纳米[捂眼睛][捂眼睛]
希望不是吹牛逼
中国加油！[点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞]
楼梯震天响，就是不见人下来！
深紫外光源哪里产的？稳定吗？ 物镜系统哪里产的？精度可靠吗？ 精密工作台哪里产的？长期工作精度可靠吗？ 光刻机胶呢？ [得瑟][得瑟][得瑟][得瑟][吐舌头眯眼睛笑][吐舌头眯眼睛笑][吐舌头眯眼睛笑][吐舌头眯眼睛笑]
反正这个能看懂，希望是真的
为什么国外私企烧得起？？？
美帝走投无路可以完蛋了。
吹吧。
日本、韩国都是非常重视高科技和关键装备的国家，中国的各种政策要给科技企业让路和保驾护航。
死人又炸尸，光天化日的僵尸附体到处蹦跶呻吟游荡
会让你知道？[得瑟]
去年也这么说的。
28都说了3年没出来，现在14了？自媒体越来越无耻了