SK海力士宣布推出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，能效提高了9%以上。SK海力士表示将在年内完成量产准备，明年开始供应产品。
SK海力士以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。并在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，对EUV适用工艺进行了优化。1c工艺技术将应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等DRAM主力产品群。
据SK海力士介绍，随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。
SK海力士在去年1月首次实现了其10纳米级别第四代（1a）DDR5服务器用DRAM获得英特尔的认证，随后在5月又首次实现了其10纳米级别第五代（1b）DDR5进入英特尔数据中心的兼容性验证。第六代（1c）产品再次成为首款，领先三星电子。
