英特尔在25日宣布，其业界领先的半导体封装解决方案已经进入大规模生产阶段，其中包括英特尔引领的3D Foveros先进封装技术。这一举措被认为是英特尔对台积电等竞争对手发起的挑战，旨在争夺在整合多个小芯片（Chiplets）于单个封装中的日益增长的市场份额。
台积电CoWoS封装迎劲敌英特尔宣布，已实现业界领先的半导体封装解决方案的大规模量产，其中包括英特尔突破性的3D Foveros先进封装技术。
英特尔位于新墨西哥州Rio Rancho的Fab 9工厂开始运营，该生产设施耗资35亿美元，旨在使用Foveros 3D封装技术处理芯片，是英特尔首批专门致力于先进封装技术的工厂之一。
英特尔执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani表示：“庆祝英特尔第一家拥有大批量半导体业务工厂的开业，也是美国唯一一家大规模生产全球最先进封装解决方案的工厂。这项尖端技术使英特尔脱颖而出，并为我们的客户提供了性能、外形尺寸和设计应用灵活性方面的真正优势，所有这些都体现在弹性供应链中。”
除此之外，英特尔还使用Foveros 3D构建用于客户端应用的最新Core Ultra“Meteor Lake”处理器，以及用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的Ponte Vecchio GPU。随着英特尔及其英特尔代工服务（IFS）合同芯片制造部门的客户采用多芯片设计，Foveros 3D的使用量将在未来几年显著增加。
英特尔3D封装厂正式开业据悉，英特尔的全球工厂网络是一项竞争优势，可实现产品优化、提高规模经济和供应链弹性。位于 Rio Rancho 的 Fab 9 和 Fab 11x 工厂是英特尔 3D 先进封装技术大规模生产的第一个运营基地。这也是英特尔第一个位于同一地点的大批量先进封装工厂，标志着端到端制造流程创造了从需求到最终产品的更高效的供应链。
Fab 9 将有助于推动英特尔先进封装技术创新的下一个时代。随着半导体行业进入在封装中使用多个“小芯片”的异构时代，Foveros 和 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）等先进封装技术为实现 1 万亿美元目标提供了更快、更具成本效益的途径芯片上的晶体管并将摩尔定律延续到 2030 年以后。
Foveros 是英特尔的 3D 高级封装技术，是同类首创的解决方案，支持使用垂直堆叠而不是并排堆叠的计算块构建处理器。它还允许英特尔和代工客户混合和匹配计算模块，以优化成本和能效。
先进封装未来已至随着先进封装技术在近年来的逐步成熟，现有世界半导体巨头都在不断推进包括2.5D和3D堆叠芯片在内的先进封装芯片产业化应用。英伟达、AMD等公司甚至已经将先进封装视作高级AI芯片的一种标配。
英伟达近年推出的包括H100、H200芯片在内的多种顶级AI芯片均采用了台积电成熟的CoWoS 2.5D封装技术。而AMD旗下的MI300X AI芯片则混合使用了台积电的2.5D和3D封装技术。
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