事件：产业链传GB200已经重新流片， wafer in已经开始，预计 1-2 个月 wafer out。 NV每周二和台积电例会，目前进度非常快和及时，也是NV自己的关键时刻，再次流片的具体时间也出了。目前台积电看设计问题不大，虽然仍有预期差。台积电找了他们所有分公司最好的工程师全力攻克这个问题了，差不多9月中就有最终的答案（一个半月左右，之前花了1亿多美金的wafer全部作废）。基本上之后tape out顺利的话，之前的问题就迎刃而解了，NVL72（36x2）就是按照之前的的进度出货，甚至不会延后，然后要求任何产品都给NVL72让路，包括之后的B200 B200a hgx，只要有NVL72的需求，提前满足。 渠道这边非常多，有乐观，有悲观，确认肯定是真的，而且以后每周二NV跟台积电例会可以继续跟踪。 NVL72（其实都是NVL36x2）出货节奏Q4本来预定是6000柜，主要是AWS 2000台，微软 2000台，meta 500柜，谷歌 1400柜，其他销售代理全是样品机，如果这次能顺利流片，最终理论上都能赶上（后续继续跟踪）。 而新产品b200a nvl36 aircool（第一批确定卖苹果了）会提前设计好并且出货，死命令给了2025年4月25日这个时间（新产品，这不是之前说的b200a ultra nvl36）算力密度差不多是nvl36的一半，nvl72的四分之一，估计价格也差不多（应该会加一堆配件等效贵点 nv老套路了 取代8卡的HGX）。 以下是专家观点： Q：请问CoWoS-S和CoWoS-L的区别？ A：台积电先进封装分为前后段，前段的部分是SoIC，包括Hybrid Bonding、SoIC-X和SoIC-P；后段的部分包括InFO和CoWoS。InFO是chip first，分为InFO-R和InFO-L，主要使用者大部分都是苹果，比较高端的可能会用到LSI（InFO-L）的技术，CoWoS-L也会用到。苹果从M1 Ultra开始会用一个Fusion的技术，有点像是bridge die在中间，把它叫作LSI（Local Silicon Interconnect），Local Silicon Interconnect的意思就是bridge die，然后再加上RDL Interconnect的技术。CoWoS包括CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L。CoWoS-S的全称是CoWoS Silicon Interposer，也就是芯片会做在silicon interposer的wafer上面；CoWoS-R是RDL Interposer；CoWoS-L的技术跟InFO-L的技术很像，都用到了LSI也就是bridge die的技术。 CoWoS-S从process flow讲起，进来的wafer是挖好TSV的wafer，这个一进来的东西就叫做Silicon Interposer wafer，这也是为什么如果台积电做不出这么多的Silicon Interposer Wafer，没有办法挖这么多TSV，你会听到我们可不可以跟UMC买，可不可以跟Inotera（美光）买，可不可以跟一些记忆体的前段厂商购买，只要表面RDL的pitch能够达到客户的要求，基本上都会跟这些厂商购买Silicon Interposer Wafer。但是RDL Interposer无法外购，它属于CoWoS-R的部分制程无法外购。CoWoS-L也是在CoWoS-R的基础上衍生的，所以是LSI+RDL Interposer，因此CoWoS-L也无法外购。回到CoWoS-S的制程，当挖好TSV的Silicon Interposer Wafer准备好后，就会开始做黄光表面，做完之后会做一层coating，在上面bonding一个Carrier，然后会用wafer etcher将其磨薄，把里面的TSV露出来之后，RDL放上去，C4 bump放上去。这时候开始上第二层的carrier，然后将第一层的carrier拔掉，在拔掉的位置bonding GPU，之后再把第二层的carrier拔掉，形成大家常看到的Interposer，这部分是CoW的阶段。之后再进入CoWoS的oS阶段，也就是Interposer Die on Substrate的部分，最后HBM才会上去。 CoWoS-R是RDL Interposer，来源于fan-out的技术，也就是Face Down Chip Last的技术，黄光做完之后才上die，CoWoS-S也是chip last的技术。CoWoS-R一开始一般都是一个glass carrier，glass carrier业界比较常用的型号是康宁的EAGLE XG，在glass carrier的上面会涂一层sacrificial layer也就是release layer，通常胶会由像Brewer Science这种会提供Temporary bond技术的胶体的公司提供，会在胶体上面做RDL layer，做完之后就可以GPU放上去，flip chip把GPU放上去之后过mass reflow，过完mass reflow接合在一起之后就可以进行wafer molding。也可以做chiplet的概念，在同一个pad的黄光里面放几颗不同的die。再之后会用laser ablation de-bonding将release layer这一层有点粘性的部分碳化掉，让它失去粘性后就可以把这层玻璃拔掉，将表面清洗干净。清洁完之后将其翻过来，继续做剩下的RDL，之后进行wafer ball mount。这部分完成的就是CoWoS-R的CoW的阶段，其中用黄光做起来的这一块就是RDL Interposer。RDL Interposer的性能表现不及Silicon Interposer，RDL的线路是一层一层迂回地走，而Silicon Interposer是垂直地走。但是RDL Interposer由于不需要挖洞而不受限于工艺上的物理极限，因为洞没有办法缩到太小，还是需要用传统曝光的方式去照，基底Silicon based wafer有物理极限，光罩一颗开到最大是32x26。如果想把Interposer做大，就需要用到玻璃基底，因为不需要挖洞，所以不受限于光罩面积的限制。但是当光罩面积开到太大比如7-8倍时，会导致线路走得太长，RC delay也会很长，性能表现就会变差。 另外，chip last和chip first到底有什么差别，为什么high density只能走chip last，这是因为CTE（热膨胀系数） mismatch，die如果是以chip first的方式上去之后，molding完之后通常会有很大的warpage，之后再去上RDL的时候，就会存在精度上的限制，所以造成RDL的线路不好做。Chip last的技术就是RDL在还没有加热（molding）的时候上上去，这时就不存在warpage的问题，RDL就可以做到很细。所以英伟达的产品不能用chip first的主要原因是由于热膨胀问题造成翘曲，导致黄光不好曝，另外RDL first的稳定性比较好。但是chip first的成本比较便宜。 CoWoS-L就是接刚才CoWoS-R的部分去做，刚才讲到RDL Interposer，如果不想要一颗device上面的RDL做得太大，又想要做到SIP，但是要把两个GPU做到一起，又想要缩短两个device的GPU top之间的距离，不让路径跑得那么长，就有了CoWoS-L，也就是LSI，俗称bridge die。Bridge die的做法是有一颗bridge die是做face up的制程，晶面朝上，接下来把两颗ASIC或HBM放上去，就可以通过bridge die进行桥接，缩短了两颗芯片之间的传输距离。台积电的CoWoS-L对应的英特尔的技术叫做Foveros Omni，Foveros是可以做die first也可以做die last，台积电是做die last的技术，而FOCoS-Bridge也就是日月光的技术是做die first。 Q：英伟达在Blackwell上首次使用CoWoS-L时遇到了哪些良率问题？这些问题主要出现在什么环节？ A：问题在于两颗logic die和bridge die的接合，传统的mass reflow，因为pitch缩小到一定程度导致flux无法清洗干净进而造成low yield，然后用LAB的性能表现不好，所以现在在试TC Fluxless，正在用ASMPT和K&S的TCB机台在做。这种Fluxless的技术良率不是特别高，有一些技术上的问题需要突破。因为TC Fluxless还属于比较新的技术，在存储厂商那边也只是在尝试，还没有开始量产，所以Fluxless这个技术严格来讲世界上目前还没有任何生产，都还在R&D阶段。 Q：台积电CoWoS-S和CoWoS-L的良率分别是多少？ A：CoWoS-S技术已经非常成熟，其良率通常能够超过95%。CoWoS-L是一种比较新的技术，英伟达应该算是第一个使用的重量级客户，以前大部分都只用到CoWoS-R，以前还没有走到chiplet的概念，现在Blackwell需要将两颗B100进行串联，所以要用到bridge die。 Q：所以这样就解释了英伟达现在推出了一个新的产品B200-A，只有一颗die，就可以切换回CoWoS-S去做，就不用担心良率的问题。 A：是的。 Q：英伟达B200的推迟可能主要是因为台积电CoWoS良率的问题，这是在预期之内的事情吗？ A：预期之内。因为一直有听到出现问题的声音，然后现在要去尝试Fluxless，但是台积电对于Fluxless还缺乏经验，所以很可能就会出现问题。 Q：后续台积电会如何提升良率？ A：可能还是会继续尝试Fluxless。LAB是英伟达一直在推的，但是LAB也需要用到flux，但由于pitch太小铜柱太细所以会有flux清洗不干净的问题。