从2019年开始，“芯片”、“光刻机”、“EDA软件”等成为了科技圈里的热词，在此之前，外界对于这些技术都是少有关注，而之所以能够在短时间内“热起来”，主要是因为，从2019年开始，美国在半导体产业链方面对我国举起了封杀大棒，类似的芯片代工、光刻机进口、EDA软件的使用都受到了限制。

这严重影响到了我国半导体芯片以及上下游产业的发展，基于此，我国开启了大规模芯片产业链自研行动，并制定了5年内实现芯片自给率70%的目标。

其中最快被得到解决的问题，主要集中在芯片设计方面，诸如芯片指令集架构，现如今我国已经开发出了100%自主研发的LoongArch架构，另外在开源指令集架构RISC-V领域，我国也实现了全球领跑，至于EDA软件方面，虽然难度很大，我们起步较晚，但是现如今华为也是实现了14nm以上EDA软件的国产化替代。

可以说，在芯片设计方面，我国已经实现了突破，美国已经无法对我们进行“卡脖子”，但是，在硬件制造方面，我们却依旧留下了短板，特别是在光刻机方面，目前明面上，国内最顶尖的光刻机是由上海微电子打造的90nm精度的光刻机，这个想要满足现阶段的使用，难度还是很大的。

不过，根据最新消息显示，目前国产更高精度的28nm光刻机已经在实验阶段，相信距离正式量产也不会太远，而一旦国产28nm光刻机得到突破，在很大程度上，我国的芯片问题就算是被解决了。

当然，这也只能说是满足需求的角度考虑，至于高阶芯片方面，除了实现EUV光刻机的突破，别无他法。

而对于EUV光刻机的突破，早在2020年中科院院长白春礼就制定好了方向，其表示，该院已经将光刻机这类对外依赖较大的关键设备列入科研清单，未来将集中力量攻克这些重点技术。

而目前距离白春礼院长的发言已经过去了两年多时间，白春礼院长似乎是开始兑现承诺了，就在4月13日，白春礼到长春光机所进行调研，先后参观了高通量基因测序仪、EUV光源、02专项等科技创新成果及研究进展。

这也就是说中国重磅喜讯传出了，我们在EUV光刻机三大核心部件里，已经完成了其中一个的部署，在EUV光源方面我们已经逐步实现了自主化，这对于国产EUV光刻机的发展意义重大。

当然，这只是一个开始，想要实现EUV光刻机的打造，我们还需要更高精度的光学镜片，但是，不管怎么说，从现在的情况来看，EUV光刻机的三大核心，光源、工作台、高精度镜头我们都已经完成了部署，接下来就是不断提高精度以及最后的部署，这个过程也是最为困难的过程，但是，我国一直都是最善于创造奇迹的，相信距离突破的那一天不会太远。

而看到白春礼院长的调研消息，外媒方面也是传来评论表示，这似乎意味着欧洲和美国的芯片企业将遭受“灭顶之灾”。

因为，一旦中国实现了对EUV光刻机的突破，那么接下来芯片市场的风向将发生改变，从此欧洲和美国在半导体芯片领域的领先地位将被打破，全球芯片产线将一分为二，一个是中国路线，一个是欧美路线。

但是，一直以来，中国进入一个市场，无疑都是快速占领一个市场，所以接下来欧美企业想要对抗难度很大。

另外，需要注意的是，我国在芯片设计领域已经走在了世界一线，这一点从华为的麒麟芯片的性能表现就可以感受到，所以说，一旦EUV光刻机最终突破，那么国产芯片也将冲击英特尔、高通这些美国芯片巨头的市场地位，届时它们的确可能遭遇营收上的“灭顶之灾”。