综合韩媒报道称，美光的1γ DRAM出货量超过了市场领导者三星。
美光的1γ DRAM，在韩国也称为1c DRAM，标志着其首次使用EUV光刻技术，达到了高达9200MT/s的速度。
这比其前代产品快15%，同时将功耗降低了20%以上。
三星最初计划在2024年底大规模生产1c DRAM，但目标已推迟到2025年5月或更晚。
三星面临持续的良率挑战，其预计在2024年底生产“良好芯片”，但仍未达成该目标。
该公司正在修改芯片设计以提高产率和稳定性，预计在2025年3月或4月公布研究结果。
分析师警告说，进一步的延迟可能削弱三星在HBM4方面的竞争力。
因为美光已在2024年2月开始向英伟达供应8层HBM3E，12层样品正在测试中。
而三星尚未通过任何一种配置的认证。
为了对抗美光，三星加大了对1c DRAM生产的投资，在其平泽的P4工厂为小规模生产线采购了设备。
与此同时，SK海力士在2024年8月完成了1c DRAM的开发。
并宣布在下半年具备大规模生产能力，基于其1b DRAM工艺的产率稳定性更高。
随着竞争加剧，三星稳定1c DRAM生产的能力将对其内存业务战略至关重要。
