近日，兆驰半导体、长春希达、罗化芯、海目星等公布Micro LED专利，涉及外延结构及其制备方法、发光芯片测试方法、器件及其制备方法、修复方法与修复设备等技术环节。

江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118899378A，申请公布日为2024月11月5日。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要：本发明公开了一种高空穴注入效率MicroLED外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的MicroLED外延结构包括多量子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；多阶P型空穴注入增强层包括第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；第一阶空穴注入增强层包括第一AlGaN层和第一InGaN层；第二阶空穴注入增强层包括第二AlGaN层和第二InGaN层，第二InGaN层中掺杂有Mg；第三阶空穴注入增强层包括第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，第三InGaN层和第四InGaN层中分别掺杂有Mg。本发明高空穴注入效率的MicroLED外延结构，可显著提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高MicroLED芯片在低工作电流密度下的光效。

江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“用于Micro-LED的外延结构及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118888657A，申请公布日为2024月11月1日。

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专利摘要：本发明公开了一种用于MicroLED的外延结构及其制备方法、Micro LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型GaN层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1xN层，所述量子垒层包括依次层叠的InyGa1yN层、AlzGa1zN层和BwGa1wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括依次层叠的AlαGa1αN层、BβGa1βN层和AlN层；w＞α＞β。实施本发明，可提升MicroLED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。

长春希达电子技术有限公司申请一项名为“一种Micro-LED发光芯片测试方法”的发明专利，申请公布号为CN118884188A，申请公布日为2024月11月1日。

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专利摘要：一种MicroLED发光芯片测试方法，涉及MicroLED显示技术领域，解决现有采用TFT的AM驱动技术驱动MicroLED显示器时，由于TFT和LED的性能差异会造成红绿蓝LED亮度匹配不均造成灰度过度不均匀以及亮度不均匀性的问题。方法通过基于PCB基板设计MicroLED测试阵列模组，阵列内部采用并联方式将LED阵列连接，外部采用电压源直接驱动方式保证加载到每颗LED上的电压是一致的。通过测试红绿蓝三基色MicroLED阵列模组从0灰阶到255灰阶的数据电压计算得红绿蓝模组最小灰阶电压的公约数以及MicroLED白场最小的灰阶等级。本发明适用于MicroLED显示领域。

江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“Micro-LED器件及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118867068A，申请公布日为2024月10月29日。

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专利摘要：本发明公开一种MicroLED器件及其制备方法，该方法包括在衬底上依次形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去除至少部分第一介质层和部分第二介质层、露出第一发光结构并形成第一孔，并形成第一P电极；去除第一凹槽上的第二介质层，在第一凹槽槽底依次形成第二发光结构和第二P电极；去除第二凹槽上的第二介质层，并形成第三发光结构和第三P电极；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介质层和第二介质层，露出N型层并N电极。采用该方案，保证色彩的纯净度和亮度均匀性，改善发光效率低下和颜色一致性差的问题。

江苏第三代半导体研究院有限公司（以下简称研究院）于2019年7月注册于苏州工业园区，是以市场化机制运行的新型研发机构。研究院以培育发展第三代半导体技术应用产业为目标，聚焦第三代半导体在新型显示、5G 通信、电力电子、环境与健康等领域的应用。

海目星激光科技集团股份有限公司申请一项名为“Micro-LED修复方法与修复设备”的发明专利，申请公布号为N118848253A，申请公布日为2024月10月29日。

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专利摘要：本发明公开了一种MicroLED修复方法与修复设备，修复设备包括支撑架、激光加工组装置、物镜组件、Z轴模组和T轴模组，所述物镜组件沿T轴方向滑动连接于所述支撑架上，所述T轴模组用于驱动所述物镜组件移动，以使物镜组件中不同倍率的物镜移动至激光加工组装置射出激光的同轴位置，所述激光加工组装置沿Z轴方向滑动连接于所述支撑架上，所述Z轴模组用于驱动所述支撑架移动，以调节所述物镜组件在Z轴方向的位置；修复方法采用上述修复设备实现MicroLED的修复。本发明通过不同倍率物镜的选择以及物镜高度的调节来自动追焦，从而提高加工的精度，同时提高加工效率。

罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司申请一项名为“一种多Micro-LED芯片封装体及其制备方法”的发明专利，申请公布号为CN118867073A，申请公布日为2024月10月29日。

图片来源：国家知识产权局

专利摘要：本发明涉及一种多MicroLED芯片封装体及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的多MicroLED芯片封装体的制备方法中，通过优化第一氧化锆钝化层、第二氧化锆钝化层以及第三氧化锆钝化层的制备工艺，使得各氧化锆钝化层的表面为粗糙结构，进而在后续形成各金属层时，可以有效提高二者的结合性能，进而可以有效避免各金属层剥离，且通过形成第一金属层、第二金属层以及第三金属层，为各MicroLED芯片与第二电极之间提供多条导电通路，在后续的使用过程中，即使某一个导电通路发生断路，这也不妨碍各MicroLED芯片的正常使用。

罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司申请一项名为“一种Micro-LED显示面板及其形成方法”的发明专利，申请公布号为CN118867074A，申请公布日为2024月10月29日。

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专利摘要：本发明涉及一种MicroLED显示面板及其形成方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的MicroLED显示面板的形成方法中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且设置第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述设置，可以大大提高电流的扩散性能，进而可以提高MicroLED单元的发光性能。

江西求是高等研究院申请一项名为“Micro-LED显示芯片制备方法及Micro-LED显示芯片”的发明专利，申请公布号为CN118825173A，申请公布日为2024月10月21日。

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专利摘要：本发明提供了一种MicroLED显示芯片制备方法及MicroLED显示芯片，制备方法包括：在生长衬底上沉积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板表面沉积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除生长衬底及部分GaN外延层后进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的MicroLED单元；沉积钝化层和N电极层，得到若干独立的发光台面；在相邻的两发光台面之间沉积环形的金属电极，在金属电极与发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；制备微透镜阵列后贴合在粘性光学涂层上，以得到目标MicroLED显示芯片。本申请的MicroLED显示芯片为全彩显示芯片，发光亮度强、效率高。

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