美光科技（Micron Technology）终于在其DRAM生产节点上引入了先进的极紫外（EUV）光刻技术，标志着其最新工艺节点进入中试生产阶段。作为全球存储器市场的主要玩家之一，美光在采用EUV光刻技术方面略显保守，是业内最后一家采用该最先进技术的公司。然而，美光从今年开始，以1γ（1-gamma）制程进行DRAM存储器的试产，并计划于明年进入大规模量产阶段。

目前，美光的存储芯片生产主要依赖深紫外（DUV）光刻技术。相比之下，三星和SK海力士早已投资了昂贵的EUV光刻设备，每台设备成本约为2亿美元，最终实现了成本的降低。尽管如此，美光通过使用标准DUV多重图形化技术，在其1α和1ß节点上开发出了具有成本和性能竞争力的DRAM。然而，切换到EUV技术将提高其新节点的经济性和竞争力。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV应用方面稍微落后于三星和SK海力士，但其EUV技术的应用成果非常有希望：“使用EUV光刻技术的1γ（1-gamma）DRAM试点生产进展顺利，我们有望在2025年实现量产。”

美光对其1γ DRAM工艺技术寄予厚望，期待通过EUV技术制造出业内最小的DRAM单元。这将成为其即将推出的存储芯片的主要竞争优势，因为它将使公司能够制造出成本更低且更节能的存储设备。EUV技术在这一过程中将起到关键推动作用，其具体对美光DRAM性能的影响仍有待观察。

美光在日本广岛的工厂正开发采用EUV技术的1γ DRAM制造工艺，首批1γ存储器器件已在该工厂作为试点生产计划的一部分生产。

事实上，美光已经使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻机进行了一段时间的试验。公司一直在测试这些工具，用EUV流程逐步替代其1α和1ß节点的一些DUV流程，并不断调整以获得适当的产量。截至目前，美光已经积累了足够的经验，开始为使用EUV工具进行大规模生产做准备。

Mehrotra在3月份表示：“我们通过EUV光刻技术不断成熟生产能力，并在EUV和非EUV流程的1α和1ß节点上实现了同等的产量和质量。我们已经开始使用EUV进行1γ（1-gamma）DRAM的试产，并有望在2025年实现量产。”

美光的这一举措不仅标志着公司在存储芯片制造技术上的重要突破，也进一步巩固了其在全球半导体市场中的竞争地位。随着EUV技术的全面应用，美光将有望在未来的市场竞争中占据更有利的位置。