在第九代V-NAND闪存TLC版本量产四个月后，三星宣布QLC版本也已实现量产。
三星V9 QLC具有280层堆叠，双堆栈结构，单die容量依然保持为1太比特（1Tb），但存储密度相比上代产品（V7 QLC）提升了86%，达到创纪录的每平方厘米28.5 Gbit。
除了大幅提升的存储密度，三星V9 QLC还着力改善了QLC闪存的性能表现。通过预测编程技术控制单元状态变化，最大限度减少不必要操作，实现了写入性能提升一倍、数据输入/输出速度提高60%的目标。
通过仅感测必要的位线（BL）降低驱动NAND闪存单元电压，三星V9 QLC的读取和写入功耗分别降低了30%和50%。三星计划将V9 QLC闪存应用于个人电脑和服务器SSD，以及智能手机（UFS）当中。由于闪存接口提速至3200MT/s，PCIe 5.0接口的三星消费级QLC SSD应该不远了。
