长江存储起诉美光侵犯其3DNAND专利

11月9日，中国3DNAND闪存制造商长江存储科技有限责任公司向美国加州北区地方法院提起诉讼，指控美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRONCONSUMERPRODUCTSGROUP,LLC）侵犯了其8项与3DNAND相关的美国专利。长江存储称，美光的128层、176层等多个系列3DNAND闪存产品均侵犯了其专利。这一诉讼旨在维护长江存储的创新权益和市场地位。

长江存储3DNAND技术的领先地位

长江存储是全球领先的3DNAND闪存制造商之一。根据22年11月的一项研究报告，该公司已超越美光，成为3DNAND闪存领域的领导者。在过去的几年里，随着3DNAND技术的发展，芯片外围CMOS电路占据了芯片面积的50%以上。为解决这个问题，长江存储推出了自研的创新技术——Xtacking。这项技术通过将NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别制造，并将它们垂直堆叠在一起，以实现紧凑的互连。与此同时，Xtacking技术还可以在不同的生产线上制造不同类型的芯片，从而提高存储密度、性能和可扩展性，并降低制造成本。

长江存储的发展历程和成就

长江存储成立于26年，总部位于武汉。作为一家集成电路企业，长江存储专注于3DNAND闪存的设计制造，并提供完整的存储解决方案。在自主研发和国际合作的支持下，长江存储成功设计制造了中国首款3DNAND闪存，并于29年正式量产了搭载Xtacking架构的第二代TLC3DNAND闪存。20年，长江存储推出了第三代TLC/QLC两款产品，其中X2-6070型号是全球首款第三代QLC闪存，具备业界最高的I/O速度、存储密度和单颗容量。截至目前，长江存储在武汉、北京等地设有研发中心，员工总数达8000余人，其中有6000余名研发工程技术人员。长江存储凭借技术创新和Xtacking架构在3DNAND领域取得了与三星、SK海力士、美光等一线厂商相媲美的水平。

面临的限制和勇于“亮剑”的决心

长江存储在取得成功的同时也面临着一些困难和限制。由于受到美方的打压，公司无法获得美日荷设备等先进设备，限制了其产能的扩张。为了维护自身的权益，长江存储决定通过对美光提起专利诉讼，坚守自己的技术领先地位。这一行动既展示了长江存储敢于“亮剑”的决心，也彰显了国内受制企业对技术创新的坚持和追求。

总结

长江存储作为中国3DNAND闪存制造业的领导者之一，凭借其创新的技术和Xtacking架构在行业内取得了巨大的成就。通过对美光提起专利诉讼，长江存储不仅维护了自身的创新权益，还捍卫了国内制造业的自主地位。面对困难和限制，长江存储展示了敢于“亮剑”的精神和对技术创新的坚守。未来，随着中国半导体业的不断崛起，长江存储有望在全球市场上进一步扩大其影响力，为中国制造业争光。