3月27日消息，位于莫斯科的泽列诺格勒纳米技术中心传来重磅消息：俄罗斯第一台 350nm 光刻机已完成开发，并且做好了批量生产的准备 。这一成果的诞生，标志着俄罗斯半导体制造领域迈出了关键一步。
泽列诺格勒纳米技术中心并未停下脚步，目前正依据第二份国家合同，全力推进 130nm 光刻机的开发工作 。按照计划，这款光刻机预计在 2026 年完成 ，届时俄罗斯半导体制造能力有望进一步提升。
莫斯科市长盛赞：俄罗斯跻身光刻技术强国之列莫斯科市长 Sergei Sobyanin 兴奋地表示：“世界上只有不到 10 个国家 / 地区能够制造这种半导体制造的关键设备。现在，俄罗斯成为其中之一 。” 这一成就对于俄罗斯来说意义非凡，彰显了其在半导体制造核心技术上的突破。
技术创新：固态激光器引领俄罗斯光刻新方向Sergei Sobyanin 指出，俄罗斯的光刻系统与外国同行有着显著差异 。其首次采用固态激光器作为光源 ，这种光源具备功率强大、节能、寿命更长、光谱更窄等诸多优势 ，为俄罗斯光刻机赋予了独特的技术竞争力。
光刻技术：微芯片制造的核心环节在微芯片制造过程中，光刻技术至关重要 。它涉及通过分层工艺在晶圆上创建数十亿个微小的电子元件 ，具体是将电路图案从掩模（模板）转移到晶圆上 ，为后续的刻蚀和沉积步骤奠定基础，从而构建出芯片 。可以说，光刻机是整个芯片制造流程的核心工具，其性能直接决定了晶圆厂的可行性和技术范围 。
光刻机类型解析：DUV 与 EUV 的差异光刻机主要分为 DUV（深紫外）和 EUV（极紫外）两种类型 。DUV 和 EUV 设备的光源和波长各不相同 ，这也直接影响了它们所能创建的芯片特征的大小和复杂性 。DUV 设备使用准分子激光器，如 248nm 的氟化氪（KrF）或 193nm 的氟化氩 （ArF）来发射深紫外光；而 EUV 设备则采用激光产生等离子体（LPP）系统 ，通过 CO₂激光器喷射锡液滴，产生波长为 13.5nm 的极紫外光 。与它们不同，俄罗斯开发的光刻机采用固态激光器，走出了一条独具特色的技术路线 。固态激光器在二极管泵浦下，光学转换效率高达 20% - 30% ，远高于 CO₂等气体激光器 10% - 15% 的效率 。并且，固态激光器以掺杂固体（晶体 / 玻璃）作为增益介质，有别于气体激光器的气态介质 。
正如莫斯科市长所说，目前世界上仅有少数国家 / 地区具备制造光刻机的能力，包括荷兰、日本、美国、中国以及如今新加入的俄罗斯 。荷兰在全球光刻机领域占据着领导地位，ASML 能够为全球市场批量生产 DUV 和 EUV 光刻机 。虽然其他国家 / 地区有能力制造 DUV（28nm 及以上）设备 ，但在 EUV（7nm 及以下）系统生产方面，ASML 处于垄断地位 。俄罗斯此前有少数公司依靠进口 DUV 设备运营晶圆厂 ，其中主要参与者 Mikron（总部位于莫斯科附近的泽列诺格勒）能够批量生产 90nm 芯片 ，并在 2020 年获得 65nm 工艺资格 ，不过其产能情况尚不明确 。如今，俄罗斯自主研发的光刻机取得成果，有望改变自身在全球半导体产业链中的地位 。
俄罗斯芯片制造目标：2027 年实现 28nm，2030 年达到 14nm俄罗斯在半导体领域有着明确的目标 ，计划到 2027 年实现 28nm 本地芯片制造 ，到 2030 年实现 14nm 本地芯片制造 。2024 年 10 月的报道显示，俄罗斯已拨款超过 2400 亿卢布（25.4 亿美元） ，用于支持一项大规模计划，旨在到 2030 年取代外国芯片制造设备 。该计划涉及启动 110 个研发（R&D）项目 ，力求减少对进口晶圆设备的依赖 。如今 350nm 光刻机的成功开发，无疑为俄罗斯实现这些目标奠定了重要基础 。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，俄罗斯光刻机研发成果显著，为半导体产业发展注入动力。全球半导体格局或因新力量加入而调整。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，以专业优势为客户提供优质产品与服务，助力行业在变革中前行。
不停奔跑
这个口号有点大，半导体生产可不只是光刻机而已。产业链非常漫长，不看好大毛半导体自立。