8月18日，高能同步辐射光源（HEPS）储存环流强达到12毫安，这是HEPS建设的又一重要里程碑，标志着HEPS加速器进入了调束快行道。
HEPS是我国及亚洲首台第四代同步辐射光源，也是全球首批10皮米弧度量级自然发射度的光源之一，其核心是一台具有极低发射度的全新储存环加速器，物理设计极具挑战性。在国际通用的混合多弯铁消色散结构基础上，HEPS加速器设计团队创新性地融合了包含纵向梯度二极铁和反向弯转二极铁的新型单元节等多项创新设计，完成了国际已建及在建同类光源中自然发射度指标最高的储存环设计方案。同时，HEPS还首次提出并采用了基于增强器高能累积的置换注入方案，为高电荷量束团置换注入开辟了新路径。
HEPS储存环束流状态图，8月18日，储存环束流流强达到12毫安
HEPS工程总指挥潘卫民研究员指出，“为了实现国际一流的加速器及光源整体性能，磁铁、电源、真空、注入、机械、准直、高频、束测、控制、定时、插入件等硬件指标要达到第四代光源的高标准和高要求。调束初期，储存环就有1776块磁铁，2500余台电源，578个电子束流位置探测器，1360米真空室，3个高频腔，2台脉冲冲击器和切割磁铁，控制信号超过10万路，任何一个微小的硬件错误，例如一个硬阻拦或设备安装错位，都会影响电子束的轨迹，另外，HEPS与众不同，它有注入和引出两块切割磁铁，垂直物理孔径仅两三个毫米，对调束来说，这无疑是一个巨大的挑战”。
储存环调束团队正在紧张工作
经过5年的建设，今年7月1日HEPS储存环完成全部设备研制和安装，启动多系统联合调试，随后加速器物理与各硬件系统交叉协作，完成磁铁极性测试、硬件远控测试、调束软件-硬件测试等加速器联合调试。此外，为了应对超低发射度储存环首圈调束可能面临的各种挑战，加速器物理与束测系统基于增强器开展了大量的束流实验，为储存环调束监测手段做了充分准备。
7月23日12点45分，各系统认真核查，并完成开机准备单签署后，HEPS储存环正式开机调束。当天，开机仅三个小时即实现了单束团电子束的高能输运线传输及储存环首次在轴注入，随后成功实现单束团电子束绕储存环首次循环贯通。
开机以来，HEPS加速器部副主任焦毅研究员带领平均年龄仅34岁的调束团队，每天24小时不间断地进行调束。他提到，储存环调束面临物理孔径严格限制（两台切割磁铁处垂直物理孔径仅±2.5 毫米）、动力学孔径小（约1 毫米）、轨道响应非线性显著、可调变量极多（仅校正子即有1000多个变量）、调束初期束流状态监测精度受限等多重困难和挑战，调束团队成员通力协作，各自发挥所长，通过采用逐校正子强度扫描、校正子组合搭配、工作点调节、高频频率及其他参数优化、脉冲元件参数扫描、注入延时调节、注入束参数优化、六极铁强度优化、局部轨道调节等能想到的各种手段，克服了各项困难和挑战。
8月6日凌晨，HEPS储存环首次成功实现单束团束流存储。随后启动多束团注入调试，并通过斜四极铁强度调节、全局及局部闭轨测量与校正、注入束电荷量及稳定性优化等手段，持续提升存储流强和束流寿命。
8月18日，储存环成功存储35个束团，流强达到12毫安。潘卫民表示，“储存环成功实现束流存储是一项重大进展，这表明我们前期的设备安装、调试非常成功，也标志着HEPS光源进入了一个新的阶段。”
HEPS储存环隧道内
HEPS科学技术委员会主任、储存环调束总顾问陈森玉院士在亲自参加调束后表示，“HEPS储存环仅有毫米级的动力学孔径，加上注入引出区存在两个垂直方向±2.5毫米的物理孔径限制，其调束任务是异常艰巨的。HEPS调束团队在很短的时间内就取得了很好的调束成果，可以说几乎没有走一点弯路，表现出色”。
在接下来的几个月内，HEPS调束团队将再接再厉，提升和优化电子束流流强、寿命等参数，力争尽早为光束线站供光。
HEPS航拍图（2024年8月拍摄）
HEPS是我国“十三五”期间优先建设的国家重大科技基础设施之一，是国家发展改革委批复立项，中国科学院、北京市共建怀柔科学城的核心装置，由中国科学院高能物理研究所承担建设，于2019年6月启动建设，建设周期6.5年。目前，HEPS直线加速器、增强器已满能量出束，储存环正在束流调试，光束线站正在加紧设备安装。建成后，HEPS可发射比太阳亮度高1万亿倍的光，将是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，也将是中国第一台高能量同步辐射光源，使中国继欧、美之后跻身为世界三大第四代高能同步辐射光源所在地之一，将与我国现有的光源形成能区互补，面向航空航天、能源环境、生命医药等领域用户开放。
储存环调束进展记录
7月23日，HEPS储存环开机调束，开机后三小时内，实现了单束团电子束的高能输运线传输及储存环首次在轴注入，并通过使用基于自主开发的物理调束软件框架Pyapas的半自动束流首圈轨迹调节程序，在实现电子束首次注入后不到五个小时的时间内，成功实现了电子束在储存环上的首圈贯通。
7月29日，单束团电子束循环超过10圈；随后逐步开启高频腔、增加六极铁强度，以补偿束流同步辐射能量损失、自然色品。
8月6日，成功实现单束团电子束存储，流强约60 微安，寿命超过1 分钟，随后开始多束团注入调试。
8月18日，成功存储35个束团，流强达到12毫安。
HEPS加速器相关技术水平
为了实现国际一流的加速器及光源整体性能，磁铁、电源、真空、注入、机械、准直、高频、束测、控制、插入件等硬件指标要达到当前所能达到的最好水平。
在磁铁技术方面，HEPS纵向梯度二极磁铁采用了节能环保的永磁方案，积分磁场离散性达到±5×10-5，比第三代光源小一个数量级，达到国际领先水平；超高梯度四极磁铁的磁场梯度达到80 T/m，是第三代光源的4倍。
在准直技术方面，HEPS预准直首次采用多路激光边长交会测量法，在5m范围内稳定实现了4μm绝对测量精度，储存环精准直全面测量在1360m狭长隧道空间实现了绝对0.2mm、相对0.02mm的超高测量精度，首次研发了基于束流理论轨道和绝对偏差的偏差平滑法，达到国际最好水平。
在束测技术方面，HEPS束流位置测量系统全部实现国产化，自主研发的数字束流位置电子学实验室测试结果优于10 nm，达到国际先进水平；成功建设束流截面诊断束线，可实现微米级束团截面的精确测量，分辨率较三代光源提升一个量级。
在磁铁电源技术方面，HEPS电源实现了高精度全数字化闭环控制。HEPS储存环四极磁铁电源，基于软开关拓扑等创新，输出电流长期稳定度优于10ppm，重复性优于20ppm，准确度优于50ppm，比第三代光源小一个数量级；快校正磁铁电源，采用多电平逆变的拓扑结构等先进设计，小电流阶跃响应时间优于75μs，输出电流纹波优于20ppm，达到国际先进水平。
在真空技术方面，为了适应紧凑型多弯铁消色散磁聚焦结构设计，HEPS储存环全面采用了小孔径真空盒（最小半径8 mm），以及全新的真空盒内壁非蒸散型吸气剂（NEG）镀膜技术。
在注入技术方面，HEPS采用相比第三代光源全新的在轴注入方案，并实现关键设备的全国产化。切割磁铁采用原创的半真空结构形式，切割板厚度2mm，磁铁场强为1T，达到国际领先水平；自主研发的超快脉冲电源，脉冲底宽小于10ns，脉冲电压幅度大于±15kV，达到国际先进水平。
在磁铁单元的机械支撑技术方面，HEPS自主研发了高刚性的精密楔形调节机构、高弹模混凝土基座及其环氧灌浆安装工艺等，本征频率达到70Hz，是第三代光源的3倍；同时运动分辨率达到1 μm，为目前国内外同尺度设备达到的最高指标。
在高频技术方面，HEPS自研的数字低电平系统以及自主开发的高频控制软件，在控制稳定度方面与国际最好水平相当；全国产的260kW全固态功率源，性能指标和功率等级均达到国际水平；全国产的500MHz超导腔，综合性能指标达到国际最好水平；成功自主研制的166MHz超导腔，是国际上首台用于加速近光速粒子的四分之一波长主动型超导腔，实现了高阶模式的深度抑制，即将安装在储存环上以进一步提升束流流强。
在定时控制方面，HEPS基于micro TCA的事件定时技术，实现了多环的灵活注入引出及升降能控制，同步精度在1.5公里范围内达到30 ps，关键设备达到10 ps以下；在电源控制方面，采用微服务及容器化布署，解决了2300余台数字化电源的实时控制难题，电源同步控制延时低于4ms；处于国际先进水平。
在插入件技术方面，HEPS成功研制了国际上周期长度最短的低温波荡器CPMU12，关键指标包括相位误差和多极场误差等均处于世界领先水平。此外，为满足大视场X射线诊断和探伤的用户需求，在国际上率先提出并研制了芒果型扭摆磁铁；在国际上首次设计和制造四阵列Apple Knot型波荡器，具有低热负载、极化可调等优点。
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