AI存储:HBM抓着英伟达的命门

芯有芯的小事 2024-06-21 14:56:46

在全球AI芯片性能竞赛的浪潮中,HBM作为关键技术,正成为市场的焦点。HBM,最初由三星、AMD和SK海力士提出。该技术通过堆叠DRAM芯片和采用TSV和芯片堆叠技术来实现高速、低功耗的内存架构。

HBM的设计思路很直接。即将内存靠近CPU或GPU,通过将多个内存芯片堆叠在一起,形成一个矩阵,并与处理器紧密组合,从而创建一个基本组件。实现紧凑且高速的传输。因此,HBM几乎拥有可以媲美RAM的特性。

揭开HBM的神秘面纱

HBM,全称为High Bandwidth Memory,即高带宽内存,是一种用于CPU和GPU的创新型内存芯片技术。它本质上是将多个DDR芯片通过垂直堆叠的方式与GPU一起封装,从而形成一个具有大容量和宽数据通道的DDR组合阵列。

如果传统DDR技术是平房设计,而HBM则采用了“摩天大楼设计”。这种垂直堆叠的设计极大地提升了性能和带宽,使HBM能够在处理大量数据时表现更加出色。

以AMD最新发布的MI300X GPU芯片布局为例进行说明。中央的芯片是GPU核心,而左右两侧各有4个小型芯片,这些是由DDR芯片堆叠组成的HBM。在传统的平面布局中,GPU通常会配备2、4、6或8个这样的堆叠单元。在三维空间中,目前的技术允许最多进行12层的堆叠。

作为一种革命性的存储技术,HBM的设计初衷是解决传统平面内存布局带宽和功耗的瓶颈问题。与传统的平面内存技术相比,HBM有几个显著的优势:

高带宽:HBM能提供比传统DDR内存更高的带宽。例如,HBM2E可以提供每秒高达410 GB的带宽,而相比之下,最新的DDR4内存的峰值带宽通常在20-25 GB/s左右。据《SemiAnalysis》报道,仅GPT-4就包含了1.8万亿个参数。要有效地运用人工智能技术,就必须使用像HBM这样的高容量、快速访问的内存,以便参数能够被迅速传输和存储。

低功耗:通过减少I/O电压和优化内存堆叠结构,HBM能在保持高性能的同时降低能耗。

空间效率:由于采用垂直堆叠,HBM能在较小的物理空间内提供更大的存储密度,这对于空间受限的应用如智能手机和平板电脑尤为重要。

此外,HBM的紧凑堆叠设计也使得内存模块的体积大大减小,为设备设计提供了更大的灵活性和创新空间。

HBM:英伟达的命门,存储新周期的主线

AI给存储行业带来了新的成长机会,涵盖AI服务器、AI PC、AI phone等方面。由于一开始是ChatGPT等应用带动的AI浪潮,当前AI服务器已经给存储行业注入了大量的订单和收入体量。从应用到终端,现在AI PC和AI phone也已经开始陆续推出新品,也有望带来新的升级。

AIGC大模型的出现,提升了对算力芯片的需求,进而也带动了对存储芯片要求的提升。存储芯片能从两方面来影响:①更大的带宽,能提升计算的效率;②更大的容量,也能存储大模型下大量的数据信息。从产品列表中能看出,HBM产品在容量和带宽上都明显超过DDR、LPDDR和GDDR产品。

虽然也可以用堆大量的存储芯片来达到足够的带宽,但这同时也占用了大部分的芯片面积。如果通过3D封装工艺实现垂直方向的堆叠封装,HBM能明显节约存储芯片的占用面积。

而在AI浪潮的影响下,各大科技厂商都提升了资本开支,尤其加大了对AI服务器的采购,其中HBM也是直接受益的。根据Trendforce的数据,2023年全球AI服务器出货量达到120万台,同比增长35%以上。

同时,2024年的出货量预期将继续提升至165万台以上,同比增速达到37%。因此,我们预期HBM也将继续维持较高的增长表现。

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