金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司申请一项名为“用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统”的专利，公开号CN119069394A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征，并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真空间对掺杂工艺进行模拟，得到相关工艺参数和掺杂评价结果，提取出稳定结构和风险偏差结构。针对这些风险偏差结构进行优化，获得最佳掺杂参数。最后，整合稳定结构和优化后的掺杂参数，生成用于控制掺杂过程的控制参数。解决了现有技术中沟槽肖特基二极管制造过程中不同区域电性能需求无法精确满足的技术问题，达到了对肖特基二极管关键电性能的精准调控。
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