金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件”的专利，公开号CN119093155A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波层，量子阱、上波导层、上包覆层，所述上波导层与上包覆层之间具有空穴扩展与注入层；所述空穴扩展与注入层的峰值速率电场的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为α，所述空穴扩展与注入层的峰值速率电场的峰值位置往量子阱方向的下降角度为β，所述上包覆层的峰值速率电场的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，其中：30°≤γ≤β≤α≤90°。本发明提升空穴注入效率与阻挡电子溢流的双重功能，降低激光器的阈值电流，提升激光器的斜率效率和限制因子。
本文源自：金融界
