金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN119110589A，申请日期为2020年3月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体存储器装置及其制造方法。提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，该基板具有互补金属氧化物半导体CMOS电路；栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构包括在垂直方向上交替地堆叠在基板上的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，该沟道结构具有穿透栅极堆叠结构的第一部分和从第一部分的一端延伸的第二部分，第二部分延伸超出栅极堆叠结构；公共源极线，该公共源极线延伸以与栅极堆叠结构交叠，公共源极线围绕沟道结构的第二部分；存储器层，该存储器层设置在沟道结构的第一部分和栅极堆叠结构之间；以及位线，该位线连接到沟道结构的第一部分的另一端，该位线设置在基板和栅极堆叠结构之间。
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