金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种磁存储单元及SOT-MRAM存储器”的专利，公开号CN119152902A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种磁存储单元及SOT‑MRAM存储器，应用于MRAM存储器技术领域，包括至少一组差分位元和辅助磁结构；差分位元包括：自旋轨道矩提供线；位于自旋轨道矩提供线一侧的两个磁性隧道结；差分位元具有平行于自旋轨道矩提供线轴线的第一方向，和与第一方向垂直的初始磁化方向；辅助磁结构对同一差分位元中的两个磁性隧道结分别提供偏置磁场，偏置磁场具有沿第一方向的分量，和沿初始磁化方向的分量；两偏置磁场沿初始磁化方向的分量方向相同，两偏置磁场沿第一方向的分量方向相反。仅需要受到沿初始磁化方向的次初始磁化就可以完成初始化同时解决垂直磁化的MTJ零磁场的可靠写入问题和高速读取问题。
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