金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN119153612A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该发光二极管芯片，包括：外延层和焊盘层；焊盘层位于外延层的一侧，且与外延层电连接，焊盘层包括至少两层子焊盘，各子焊盘沿外延层的生长方向依次叠设，最靠近外延层的一个子焊盘在外延层所处平面上的正投影为基准投影，各子焊盘在外延层所处平面上的正投影，均位于基准投影内。本公开能够保证焊盘层的形貌一致性。
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