金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN119153604A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层和防水膜；防水膜包括中间层和疏水层，中间层为硅的氧化物层，中间层覆盖在外延层外，疏水层为含氟硅烷层，疏水层覆盖在中间层背向外延层的一面。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的防水能力。
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