金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司、珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“半导体结构以及半导体器件”的专利，公开号CN119153538A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构以及半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一半导体耐压层，位于衬底上，导电类型与衬底相同；第二半导体耐压层，位于第一半导体耐压层的远离衬底的一侧，导电类型与衬底不同；第一注入区，位于第二半导体耐压层中，导电类型与衬底不同；第二注入区，位于第二半导体耐压层中，且位于第一注入区的一侧，第二注入区的靠近衬底的表面与第半导体耐压层接触导电类型与衬底相同第三注入区，位于第二注入区中，导电类型与衬底相同，掺杂浓度与衬底相同；第一沟槽栅结构，位于第一半导体耐压层和第二半导体耐压层中，与第一注入区、第二注入区和第三注入区分别接触。本申请解决了沟槽型MOS容易出现闩锁效应的问题。
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