金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119153520A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、若干源极线、若干源极焊盘、若干单元结构、栅极结构和若干漏极结构，其中若干源极线位于衬底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔排布；每个源极焊盘位于对应的源极线上且沿第二方向延伸位于相邻源极线之间；若干单元结构沿第一方向和第二方向排布位于源极焊盘上并与源极焊盘连接，且在第一方向上彼此错位的至少两个单元结构位于同一个源极焊盘上；栅极结构沿第二方向延伸，并连接位于同一源极焊盘上的单元结构；若干漏极结构分别位于对应的源极焊盘的上方，且每个漏极结构与对应的源极焊盘连接的单元结构连接；本发明提高半导体器件的电性能。
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