金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119153446A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底及位于衬底上的源极结构，栅极结构，保护结构，放电结构以及切割道；栅极结构环绕源极结构；栅极结构朝向源极结构的一侧具有凸起部分；保护结构环绕栅极结构；放电结构环绕保护结构；放电结构包括连接层，连接层与凸起部分相连接；切割道环绕放电结构。放电结构包括连接层，连接层与凸起部分相连接，由此形成一个放电回路，不会过多占用结构的面积，从而消除半导体结构制备过程中栅极结构的天线效应。在半导体结构进行测试时，只需在栅极结构上施加电压，由于放电结构构成的二极管正向导通，放电结构熔断，则放电回路被切断，从而可以保证后续半导体结构可以进行正常测试。
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