金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存的制备方法”的专利，公开号CN119255607A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种闪存及其制备方法，包括：提供衬底；形成硬掩膜层，硬掩膜层至少覆盖隔离层的侧壁表面；形成的第一侧墙位于硬掩膜层的侧壁表面；形成位于每个字线两侧的堆叠的浮栅和控制栅；形成的第二侧墙氧化层至少覆盖浮栅和控制栅的侧表面并向上延伸覆盖第一侧墙侧表面；形成的第二侧墙氮化层覆盖第二侧墙氧化层侧表面。本发明形成浮栅和控制栅的步骤，设置在形成第一侧墙之后以及形成第二侧墙氧化层之前，控制栅和隔离层的交界处由于有硬掩膜层和第一侧墙的保护，在该交界处不再形成台阶，第一侧墙不用再形成在台阶上，因此第一侧墙不再断开，闪存元胞外侧侧墙尺寸减小，同时侧墙减薄使层间介质层的深宽比降低，填充窗口增大。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可427个。
本文源自：金融界
